مراجعة هاتف Galaxy Alpha الأنيق من سامسونج (SM-G850F). مراجعة Samsung Galaxy Alpha الأنيقة (SM-G850F) يقرأ ويكتب عشوائيًا ، IOMeter

تعمل عائلة Samsung SSD 840 PRO في السوق منذ عامين حتى الآن ، وقد صنفت اختباراتنا باستمرار محركات الأقراص العليا - على الرغم من ظهور عدد قليل جدًا من محركات أقراص الحالة الصلبة الأخرى عالية الجودة خلال تلك الفترة. حتى اليوم ، يمكن لـ 840 PRO التنافس على المركز الرائد ، لكن سامسونج أعدت قائدًا جديدًا - SSD 850 PRO. ولكن في هذه الحالة ، فإن التطوير ليس فقط تطوريًا ، حيث استخدمت Samsung لأول مرة ذاكرة V-NAND ثلاثية الأبعاد في محرك أقراص ذي حالة صلبة للمستهلكين. على عكس ذاكرة MLC NAND ، يعد النوع الجديد من الذاكرة بأن يكون أكثر موثوقية وأسرع ، كما يوفر مستوى أعلى من كثافة التخزين.

أكبر ابتكارات سامسونج موجودة في ذاكرة الفلاش التي تستخدمها. في الآونة الأخيرة ، سلطنا الضوء على الريادة التقنية لشركة Crucial ، والتي تستخدم 16 نانومتر MLC NAND بسرعة 256 جيجابت في الثانية لكل يموت ، لكن سامسونج حصلت على تغييرات جذرية أكثر. في العام الماضي ، بدا أن العائلة الأولى (3 بت لكل خلية) قد حصلت على جائزتنا. خضعت مجموعة Samsung SSD 850 PRO الجديدة لتغيير جذري في تقنية ذاكرة الفلاش.

تشترك جميع أنواع ذاكرة فلاش SLC أو MLC أو TLC في شيء واحد: الخلايا ثنائية الأبعاد ، أي أنها تقع على مستوى البلورة. ولزيادة سعة الذاكرة ، من الضروري زيادة مساحة القالب. بالطبع ، يقوم المصنعون اليوم بتركيب "شطائر" من عدة بلورات ذاكرة ، مما يسمح بزيادة ارتفاع الرقائق ، وليس فقط في المنطقة. ولكن هنا ، أيضًا ، لا يسير كل شيء بسلاسة ، حيث تنخفض جودة الإشارات الخاصة بالبلورات في مثل هذا المكدس. في حالة Samsung ، تكون خلايا الذاكرة ثلاثية الأبعاد V-NAND ثلاثية الأبعاد بالفعل ، وهي عبارة عن أسطوانات متحدة المركز ويمكن تكديسها بسهولة أكبر.

المواصفات الفنية موضحة في الجدول التالي:

سنلقي نظرة أولاً على تقنية ذاكرة فلاش V-NAND ثلاثية الأبعاد الجديدة ، ثم ننتقل إلى قياس أداء عائلة Samsung الجديدة 850 Pro.

• أجهزة كمبيوتر مخصصة طلب
• واجهة SATA 6 جيجابت / ثانية ، متوافقة مع واجهة SATA بسرعة 3 جيجابت / ثانية وواجهة SATA بسرعة 1.5 جيجابت / ثانية واجهات
• 100 × 69.85 × 6.8 (مم) الأبعاد (WxHxD)
• الحد الأقصى 66.0 جرامالوزن (جرام)
• ما يصل إلى 550 ميجابايت / ثانية * تعتمد معدلات نقل البيانات على اختبارات Samsung الداخلية. يعتمد معدل نقل البيانات على المعدات المستخدمة وظروف الاختبار. القراءة المتسلسلة
• حتى 520 ميجا بايت / ثانية * معدلات نقل البيانات تعتمد على اختبارات سامسونج الداخلية. يعتمد معدل نقل البيانات على المعدات المستخدمة وظروف الاختبار. الكتابة المتسلسلة

• الملامح العامة
  • طلب أجهزة كمبيوتر مخصصة
  • الاهلية 2048 مليار بايت * يمكن أن تشغل ملفات النظام جزءًا معينًا من الذاكرة ، وبالتالي قد تكون مساحة الذاكرة المتاحة للمستخدم أقل من المحدد في المواصفات الفنية.
  • شكل عامل 2.5 بوصة
  • واجهه المستخدم واجهة SATA 6 جيجابت / ثانية ، متوافقة مع واجهة SATA بسرعة 3 جيجابت / ثانية وواجهة SATA بسرعة 1.5 جيجابت / ثانية
  • الأبعاد (WxHxD) 100 × 69.85 × 6.8 (مم)
  • الوزن (جرام)الحد الأقصى 66.0 جرام
  • الذاكرة الرئيسية بنية Samsung 3D V-NAND ذات 32 طبقة
  • مراقب وحدة تحكم Samsung MHX
  • ذاكرة عازلة سامسونج 2 جيجا بايت منخفض الطاقة DDR3 SDRAM
• الخصائص
  • دعم TRIMنعم
  • دعم S.M.A.R.Tنعم
  • GC (جمع القمامة)نعم
  • دعم التشفير AES 256
  • دعم WWNنعم
  • دعم النومنعم
• تحديد
  • القراءة المتسلسلة ما يصل إلى 550 ميجابايت / ثانية * تعتمد معدلات نقل البيانات على اختبارات Samsung الداخلية. يعتمد معدل نقل البيانات على المعدات المستخدمة وظروف الاختبار.
  • الكتابة المتسلسلة حتى 520 ميجا بايت / ثانية * معدلات نقل البيانات تعتمد على اختبارات سامسونج الداخلية. يعتمد معدل نقل البيانات على المعدات المستخدمة وظروف الاختبار.
  • قراءة عشوائية (4KB ، QD32) ما يصل إلى 100000 IOPS * تعتمد معدلات البيانات على اختبارات Samsung الداخلية. يعتمد معدل نقل البيانات على المعدات المستخدمة وظروف الاختبار.
  • كتابة عشوائية (4KB ، QD32) ما يصل إلى 90،000 IOPS * تعتمد معدلات البيانات على اختبارات Samsung الداخلية. يعتمد معدل نقل البيانات على المعدات المستخدمة وظروف الاختبار.
  • قراءة عشوائية (4KB ، QD1) ما يصل إلى 10000 IOPS * تعتمد معدلات البيانات على اختبارات Samsung الداخلية. يعتمد معدل نقل البيانات على المعدات المستخدمة وظروف الاختبار.
  • كتابة عشوائية (4KB ، QD1) ما يصل إلى 36000 IOPS * تعتمد معدلات البيانات على اختبارات Samsung الداخلية. يعتمد معدل نقل البيانات على المعدات المستخدمة وظروف الاختبار.
• ظروف التشغيل
  • متوسط ​​استهلاك الطاقة (مستوى النظام) * الأربعاء: 3.5 واط * الحد الأقصى: 5.8 واط (الذروة)
    
  • استهلاك الطاقة في وضع الاستعداد الأعلى. 60 ميجاوات
    * قد يختلف استهلاك الطاقة بناءً على تكوين النظام
  • مصدر التيار 5V ± 5٪
  • الموثوقية (MTBF) 1.5 مليون ساعة متوسط ​​الوقت بين الفشل (MTBF)
  • نطاق الحرارة الشغالة 0 - 70 ℃
  • مقاومة الصدمات 1500 جرام و 0.5 مللي ثانية (نصف موجة جيبية)
• مكملات
  • مجموعة أدوات التثبيتلا
• برمجة
  • برامج إضافية برنامج إدارة Magician SSD
• يضمن ضمان لمدة 10 سنوات / مورد الكتابة: 450 تريليون بايت

تم تصنيف محركات الأقراص فئة Samsung 850 Evo من قبل خبراء الصناعة على أنها تجمع بين السعر المنخفض والأداء المذهل للغاية. من حيث سرعة التشغيل ، يمكن مقارنة الأجهزة المقابلة مع العديد من طرز الأقراص المتميزة. ما هي المزايا التكنولوجية الرئيسية لهذه الحلول؟ كيف يقوم المستخدمون بتقييم فعاليتهم؟

معلومات الجهاز العامة

Samsung 850 Evo عبارة عن سلسلة من محركات أقراص الحالة الصلبة. تتميز هذه الأجهزة بسعة كبيرة ومستوى عالٍ من الموثوقية. هم مطلوبون عند حل المشكلات المتعلقة بتوفير نقل البيانات عالي السرعة.

يتم تصنيع أجهزة Samsung 850 Evo باستخدام بنية V-VAND ثلاثية الأبعاد ، والتي تتميز باستخدام الخلايا الأسطوانية ، والتي تم تكييفها لإزالة التداخل الناتج عن تفاعل مكونات الجهاز. يتم توفير سعة كبيرة من الأجهزة عن طريق وضع العناصر في عدة طبقات. في الوقت نفسه ، لا تقل موثوقية تخزين الملفات ، وكذلك سرعة نقلها.

من بين الميزات البارزة الأخرى للأجهزة في هذه السلسلة القدرة على التبديل إلى وضع RAPID ، حيث يبدأ محرك الأقراص في العمل بسرعة أعلى. يتم تحقيق ذلك ، على وجه الخصوص ، بسبب حقيقة أن الجهاز يبدأ في استخدام الحجم المتاح ذاكرة الوصول العشوائيجهاز الكمبيوتر كذاكرة تخزين مؤقت.

يتميز Samsung 850 Evo بتقنيات فعالة لتوفير الطاقة. وفقًا للخبراء ، في عدد من الأوضاع ، يكون الجهاز قادرًا على استهلاك كهرباء أقل بعشرات المرات مقارنة بنماذج التخزين القديمة.

تحتوي سلسلة الأقراص قيد الدراسة على عدد من الحلول عالية التقنية في مجال أمان الملفات. وتشمل هذه تشفير AES والحماية الحرارية الديناميكية.

وتجدر الإشارة إلى أن طرح أجهزة سلسلة Samsung 850 Evo في السوق قد سبقه العمل الناجح للشركة الكورية لإنشاء وضمان مبيعات ناجحة لأجهزة سلسلة SSD 830 ، بالإضافة إلى أجهزة 840 Pro التي نسبها خبراء أفضل الأجهزةاكتب SSD في الجزء العلوي للسعر. لم تنس الشركة المنتجات الخاصة بالقطاع الشامل: على سبيل المثال ، تم طرح أجهزة 840 و 840 EVO في السوق.

بعد ذلك ، واصلت شركة Samsung Corporation تطوراتها في مجال البلورات متعددة الطبقات ، وكانت إحدى نتائج تنفيذها العملي إطلاق 32 طبقة 850 محرك أقراص Evo. تم إطلاق هذا الجهاز في الجزء الشامل. في القطاع المتميز ، طرحت سامسونج جهاز 850 Pro ، الذي يتميز بمزيج عالٍ بشكل استثنائي من الأداء والموثوقية.

جهاز تخزين كمنتج للتحديث التكنولوجي

ما هي مميزات سلسلة 850 Evo؟

أعلاه ، لاحظنا أن هذه الأجهزة تعتمد على أفضل تطورات سامسونج في المنتجات السابقة. لذلك ، تم تكرار المكونات الرئيسية التي تم تثبيتها في منتجات سلسلة 840 - ذاكرة TLC ، ووحدة التحكم ذات العلامة التجارية ، بالإضافة إلى حل TurboWrite ، في سلسلة جديدةالأجهزة. بالإضافة إلى ذلك ، تم أيضًا تنفيذ عدد من التحديثات فيه - على وجه الخصوص ، بدلاً من وحدة التحكم MEX الخاصة ، قامت الشركة المصنعة بتثبيت مكون جهاز MGX محسّن.

تمت إضافة تقنية TurboWrite إلى سلسلة Samsung 850 Evo.

تقنية V-VAND ثلاثية الأبعاد

من المحتمل أن يكون العنصر الأكثر بروزًا في سلسلة محركات الأقراص الجديدة هو الذاكرة ثلاثية الأبعاد ، وهي عبارة عن دمج لحلول NAND و TLC NAND ثلاثية الأبعاد. مكنت التكنولوجيا الجديدة من القضاء على العيوب التي تميز استخدام الاثنين السابقتين بشكل منفصل.

سمح استخدام مفهوم V-NAND ثلاثي الأبعاد لشركة Samsung بتنفيذ تقنية معالجة 40 نانومتر في المنتج الجديد مع الاحتفاظ بالقدرة على استخدام البلورات بمساحة أصغر من ، على وجه الخصوص ، استخدام تقنية MLC NAND التقليدية ، والتي يتم إنتاجها وفقًا لـ تقنية معالجة 16 نانومتر. في المقابل ، تتميز الخلايا التي يبلغ حجمها 40 نانومتر بمقاومة أكبر للتآكل ، فضلاً عن الثبات في التشغيل.

يستفيد Samsung 850 Evo SSD أيضًا من التكنولوجيا المحدثة التي تدفع Samsung 850 Evo بشكل أسرع من خلال تقليل أوقات القراءة والكتابة. بفضل التسجيل في خلية ذاكرة واحدة منفصلة ليس 2 ، ولكن 3 بتات من البيانات ، يمكن أن تصل سعة البلورات المستخدمة في أجهزة السلسلة قيد الدراسة إلى 128 جيجابت في الثانية. علاوة على ذلك ، تحتوي هذه البلورات على مساحة أصغر مرتين تقريبًا من مساحة مكونات TLC NAND المقابلة في تعديل تقليدي بنفس السعة ، والتي يتم إنتاجها وفقًا لتقنية المعالجة 19 نانومتر.

وتجدر الإشارة إلى أن الشركة المصنعة تمنح ضمانًا لمدة 5 سنوات للأجهزة. هذا هو أحد أكثر المؤشرات تنافسية في السوق.

سيكون من المفيد التفكير في شكل الأجهزة المقابلة.

ظهور محركات الأقراص

بغض النظر عن سعة Samsung 850 Evo - 250 جيجابايت أو 1 تيرابايت ، تبدو جميع الأجهزة في الخط متشابهة تقريبًا. في الخارج ، لديهم هيكل مدمج - سمك 7 ملم من الألومنيوم الأسود. يوجد على الجانب الخلفي منه ملصق ، من محتوياته يمكنك معرفة الاسم الدقيق لطراز محرك الأقراص ، بالإضافة إلى الرقم التسلسلي الخاص به.

إذا فتحت غطاء العلبة ، ستجد أن المحتويات قد تختلف حسب الحجم المحدد للقرص. على سبيل المثال ، يحتوي طراز 250 جيجابايت على PCB أصغر من طراز 500 جيجابايت. لكن في كلتا الحالتين ، يكون حجم مكون الأجهزة المقابل صغيرًا ، أي يمكننا القول أن جسم الجهاز يمكن أن يكون أرق ، به مساحات فارغة.

تثبيت محرك الأقراص على جهاز كمبيوتر

كيف يتم تثبيت Samsung 850 Evo على جهاز الكمبيوتر؟ تثبيت الجهاز بسيط للغاية. تحتوي معظم حالات أجهزة الكمبيوتر الحديثة على فتحات لتثبيت محركات الأقراص بحجم 850 Evo - 2.5 بوصة. من الضروري وضع محرك الأقراص بشكل مناسب ، ثم توصيل كبلين به - مصدر الطاقة ونقل البيانات.

بعد ذلك ، تحتاج إلى تبديل وحدة تحكم الكمبيوتر إلى وضع AHCI. هذا ، ومع ذلك ، قد يتطلب التحديث. إصدار BIOS- استخدام البرامج الثابتة من الموقع الرسمي للشركة المصنعة للوحة الأم للكمبيوتر الشخصي. يتم التعرف على محرك الأقراص في النظام دون مشاكل. إذا لزم الأمر ، يمكنك استخدام البرامج ذات العلامات التجارية لتكوين النظام ومراقبة أداء القرص.

موارد التخزين

باستخدام Samsung 850 Evo 1TB SSD ، يمكنك كتابة حوالي 82 جيجابايت من الملفات يوميًا عليه. مورد مشابه له قرص بسعة 500 جيجابايت. أصغر قليلاً ، ولكن مع ذلك ، مورد مثير للإعجاب ، به تعديلات أصغر على الأجهزة - 120 ، 250 جيجابايت. يمكنهم تسجيل حوالي 42 غيغابايت من المعلومات يوميًا.

وبالتالي ، فإن سلسلة SSD المعنية مصممة لعمر طويل. حتى أصغر الموديلات في مجموعة Samsung 850 Evo - 120 جيجابايت أو 250 جيجابايت - تتمتع بسعة مماثلة لتلك الموجودة في العديد من الطرز المتميزة.

سرعة العمل

سرعة الأجهزة في هذه السلسلة مثيرة للإعجاب أيضًا للخبراء. في الوقت نفسه ، فإن المؤشرات التي تميز الطراز الأصغر من خط 850 Evo ، كما هو موضح في الاختبارات التي أجراها الخبراء ، ليست أدنى بكثير من تلك الخاصة بالطراز المتميز ، 850 Pro.

في كثير من النواحي ، يتم تحقيق مؤشرات سرعة جيدة بسبب استخدام تقنية TurboWrite ، وكذلك استخدام ذاكرة التخزين المؤقت السريعة. والذي في طراز Samsung 850 Evo 250GB هو 3 جيجا بايت ، وفي تعديل 500 جيجا بايت هو 6 جيجا بايت ، وفي القرص 1 تيرا بايت حجم ذاكرة التخزين المؤقت هو 12 جيجا بايت.

تتيح لنا قدرات محركات الأقراص قيد الدراسة من حيث ضمان سرعة تسجيل البيانات مرة أخرى التحدث عن قدرتها التنافسية فيما يتعلق بالمنتجات المتميزة.

محركات الاختبار: سرعة القراءة والكتابة

دعونا الآن ندرس النتائج العملية للخبراء الذين يدرسون قدرات محركات السلسلة المعنية. بالنسبة لوضع القراءة ، فإن التقنيات العالية المطبقة في الأجهزة المقابلة تسمح بتحقيق أعلى المعدلات هنا.

ولكن فيما يتعلق بالتسجيل ، قد تختلف نتائج الاختبار اعتمادًا على التعديل المحدد للجهاز. لذلك ، على سبيل المثال ، يتمتع محرك أقراص بسعة 500 جيجابايت بأداء مشابه لأداء الطراز الأقدم. بهذا المعنى ، عند اختيار - Samsung 850 Pro أو 850 Evo - يحصل المستخدم على ميزة واضحة في السعر إذا كان يفضل النموذج الثاني ، على الرغم من حقيقة أنه من حيث السرعة ليس أدنى من التعديل الأقدم.

في المقابل ، يعتبر الطراز في الإصدار 250 جيجابايت أدنى بكثير من الإصدار الأكثر رحابة من حيث سرعة الكتابة التسلسلية. هذا يرجع إلى حد كبير إلى الحجم الصغير نسبيًا لذاكرة التخزين المؤقت ، والذي يحتوي على التعديل المقابل لمحرك الأقراص - حجمه 3 جيجابايت. وهو ، في نفس الوقت ، كافٍ لحل عدد كبير من مهام المستخدم في الممارسة العملية.

اختبار القيادة: سرعة القراءة العشوائية

مقياس أداء مثير للاهتمام لجهاز Samsung 850 Evo هو اختبار سرعة القراءة العشوائية. يقول الخبراء إن الأجهزة مزودة بوحدة تحكم MGX محدثة ، وقد حسنت الأداء بشكل كبير مقارنة بالتعديلات السابقة.

في الوقت نفسه ، تم عرض نتائج عالية بشكل خاص من خلال طراز محرك الأقراص سعة 500 جيجابايت. يسمح أداؤها بأن يتم وصفها على أنها منتج رائد بالفعل في المقطع في سياق النظر في الأداء في الوضع المناسب.

اختبار القيادة: سرعة كتابة عشوائية

ما هو أداء الجهاز في وضع سرعة القراءة العشوائية؟

كما تظهر الاختبارات التي أجراها الخبراء ، كل شيء على ما يرام هنا أيضًا. ومع ذلك ، مع زيادة عمق قائمة الانتظار ، ينخفض ​​أداء خط 850 Evo. ولكن على الرغم من هذه الميزة، يمكن وصف الأجهزة بأنها تنافسية للغاية في وضع الاستخدام الخاص بها.

محركات الاختبار: نسخ الملفات

أحد المعايير الأكثر دلالة لتقييم أداء محرك الأقراص هو سرعة نسخ الملفات التي يتم تحقيقها عند استخدام جهاز معين. هنا ، أداء الأجهزة في هذا التعديل ، مرة أخرى ، لائق جدًا. خاصة عندما يتعلق الأمر بتعديل محرك 500 جيجابايت.

في المقابل ، يعد أداء تعديل 250 جيجابايت أكثر تواضعًا إلى حد ما. ومع ذلك ، فإن هذا يساهم في التقييم العالي للقدرة التنافسية للجهاز عند استخدامه في الوضع المناسب ، والذي يعكس عمومًا حمل المستخدم النموذجي على محرك الأقراص.

في بعض أوضاع العمل مع الملفات ، يكون الاختلاف بين تعديلات الجهاز 200 و 500 جيجابايت ضئيلًا تمامًا. لذلك ، من الناحية العملية ، قد لا يلاحظها المستخدم على الإطلاق.

بشكل عام ، تشير اختبارات أداء الأجهزة في خط 850 Evo من Samsung إلى أن العلامة التجارية الكورية قد ضمنت وجودًا في السوق لمنتج فريد إلى حد كبير: من ناحية ، سعر منخفض نسبيًا ، من ناحية أخرى ، مزايا تكنولوجية التي تجعلها قابلة للمقارنة في الوظائف والإنتاجية مع الحلول المتميزة.

هذا النهج ، وفقًا للخبراء ، تمكنت Samsung من تنفيذه بسبب العمل الهادف والمختص على التحسين المستمر للتطورات في السنوات الماضية ، بالإضافة إلى استكمالها بالابتكارات ذات الصلة التي تجعل الأجهزة أكثر تنافسية.

بدأت الشركة المصنعة الكورية الجنوبية "تجارب" مع ذاكرة TLC ثلاثية بت على العملاء في عام 2013. الجيل الأخير - 840 EVO - أعتقد أنه كان ناجحًا ، على الرغم من وجود الكثير من الجدل حول موثوقية محركات أقراص الحالة الصلبة هذه ، لأن عدد دورات إعادة كتابة الخلايا لـ TLCs أقل من عدد دورات MLC / SLC. من حيث خصائص السرعة ، يعد هذا النوع من الذاكرة أدنى أيضًا ، حيث يتم استخدام ثمانية مستويات للجهد لتخزين ثلاث بتات من المعلومات ، والتي تستغرق إزالتها مزيدًا من الوقت. حجم MLC نصفه. هذا يزيد من تآكل الخلية. مع إدخال معايير تكنولوجية جديدة ، تفاقمت المشكلة فقط ، لأن انخفاض حجم الخلية (ترقق الطبقة العازلة) يؤدي إلى تسرب الشحنة من البوابة العائمة.

هيكل 3D V-NAND يحل كلا المشكلتين. أولاً ، تشغل العبوات ذات طبقات TLC مساحة أقل من ، على سبيل المثال ، MLC المستوي. خلاصة القول: لا جدوى من مطاردة انخفاض في العملية الفنية. تم تصنيع الذاكرة في خطوط 850 PRO و 850 EVO وفقًا لمعايير 40 نانومتر "ما قبل التاريخ" ، مما يزيد بشكل كبير من موثوقيتها. تدعي شركة Samsung أن احتمال حدوث أخطاء عند قراءة البيانات من TLC V-NAND أقل بعشر مرات من احتمال حدوث أخطاء عند قراءة البيانات من TLC "العادي". الكلمات تتماشى مع الأفعال: جميع محركات أقراص EVO البالغ عددها 850 مدعومة بضمان لمدة 5 سنوات. يقدم المنافسون 3 سنوات في الغالب.

ثانيًا ، يقلل TLC V-NAND من عدد النبضات المطبقة على خلايا التحكم في البوابة. زيادة الإنتاجية. نتيجة لذلك ، فإن خط 850 EVO أدنى قليلاً من خط 850 PRO من حيث الأداء. في الوقت نفسه ، تتمتع محركات الأقراص ذات الأحجام المختلفة بنفس الأداء تقريبًا. لا يوجد تحيز خطير (حسب الخصائص) بين النماذج.

اشتملت المراجعة على محركي أقراص SSD بنفس الحجم البالغ 500 جيجابايت دفعة واحدة. محركات الأقراص SATA 3.0 و M.2 لها نفس الشيء الخصائص التقنية... بالطبع ، يتم استخدام 40 نانومتر TLC V-NAND بسعة 128 جيجا بايت في كل مكان. هناك أربعة موديلات في سلسلة 850 EVO SATA 3.0. يبرز جهاز 1 تيرابايت إلى حد ما عن الآخرين لأنه يعتمد على وحدة تحكم MEX الأكثر قوة. يتم استخدام نفس المعالج في أجهزة الحالة الصلبة 850 PRO. لا يوجد سوى ثلاثة محركات M.2. في جميع الحالات ، يتم استخدام لوحة دوائر مطبوعة بتنسيق 2280 مع مفتاحين "B" و "M".

على مدار السنوات الماضية ، تمكنت Samsung من أن تصبح أحد اللاعبين الرئيسيين في سوق محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة. تكمن استراتيجية الشركة في التكامل الرأسي الكامل للإنتاج من البداية إلى النهاية ، مما يسمح لها بالحفاظ على الريادة في تنفيذ التقنيات الواعدة الجديدة. من خلال تطوير وإصدار كل من وحدات التحكم وذاكرة الفلاش في وقت واحد ، تكتسب الشركة ميزة هندسية ضخمة لأن التكليف بالتصميمات الجديدة وتصحيحها لا يتطلب أي تدخل خارجي. وقد رأينا بالفعل أمثلة على تنفيذ هذه الميزة: من المناسب هنا استدعاء SSD من سلسلة 840 ، والتي أصبحت أول منتجات جماعية تعتمد على TLC NAND ثلاثي بت. إنه بفضل هذا تكنولوجيا سامسونجكان قادرًا على التغلب على سوق محركات أقراص فلاش الجماعية. باستخدام ذاكرة TLC الرخيصة من سامسونج ، قدمت سلسلة 840 ، ولاحقًا 840 EVO ، مزيجًا ممتازًا من الأداء والسعر ، مما جعلهما في النهاية أحد أكثر الحلول شيوعًا.

الآن ، بعد عامين من تقديم TLC NAND ، تحقق سامسونج مرة أخرى تقدمًا كبيرًا في التكنولوجيا مع 850 Pro Series الرائدة ، وهي أول محركات أقراص صلبة للمستهلكين تستخدم 3D MLC NAND الجديد كليًا. على الرغم من حقيقة أن Samsung 850 Pro لم يتم توفيره رسميًا إلى السوق الروسية حتى الآن ، فقد تمكن مختبرنا من الحصول على نسخة واعدة واختبارها أقراص الحالة الصلبة... ما إذا كان SSD هذا سيصبح خليفةًا جيدًا لتقاليد طراز 840 Pro وما إذا كان سيحل محل أفضل محرك أقراص فلاش لأجهزة الكمبيوتر الشخصية ، فسنكتشف في هذه المادة.

⇡ Samsung V-NAND: نموذج الفلاش الجديد قيد التشغيل

لقد غيرت ذاكرة NAND سوق التخزين بالكامل. تمكنت محركات الأقراص التي لا تعتمد على محركات الأقراص الثابتة التقليدية ولكن على ذاكرة فلاش من إنشاء مستويات أداء أعلى بشكل أساسي ، مما جعلها واحدة من أكثر تقنيات الكمبيوتر إثارة للاهتمام في العقد الماضي. في نفس الوقت ، ذاكرة NAND أبعد ما تكون عن اختراع جديد. في الواقع ، ظهر مرة أخرى في السبعينيات من القرن الماضي ، ولكن لفترة طويلة لم يتمكن ببساطة من اختراق الأجهزة الاستهلاكية بسبب تكلفته العالية. ومع ذلك ، فإن التقدم التكنولوجي في النهاية كان قادرًا على جعل هذه الذاكرة ميسورة التكلفة ، والآن أصبح من المستحيل ببساطة تخيل جهاز كمبيوتر منتج حديث بدون SSD محشو بـ MLC أو TLC NAND.

لعبت التحسينات في أجهزة أشباه الموصلات دورًا رئيسيًا في تقليل تكلفة ذاكرة الفلاش. العمليات التكنولوجيةالتي تستخدم لإنتاج بلورات NAND. يقلل تقليل معدلات الإنتاج من مساحة البلورات الناتجة ، مما يزيد من كثافة تخزين المعلومات فيها ، مما يؤدي في النهاية إلى انخفاض تكلفة محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة. على سبيل المثال ، بدأ الاختراق الهائل لمحركات أقراص الحالة الصلبة في السوق الاستهلاكية بنقل إنتاج بلورات ذاكرة الفلاش من عمليات 50 نانومتر إلى 30 نانومتر. في الوقت الحاضر ، يتم استخدام العمليات الفنية بمعدلات أقل من 20 نانومتر ، وتستمر تكلفة محركات أقراص فلاش بشكل طبيعي في الانخفاض.

ومع ذلك ، ينبغي ألا يغيب عن البال أن تحسين العمليات التقنية إلى ما لا نهاية أمر مستحيل. علاوة على ذلك ، يشعر مصنعو ذاكرة الفلاش بالفعل بالنهج الوشيك والوشيك للحدود التكنولوجية. الحقيقة هي أنه مع ترقق معايير الإنتاج وانخفاض الأبعاد الهندسية للترانزستورات ، تنخفض خصائص موثوقية ذاكرة الفلاش. على سبيل المثال ، كانت الذاكرة التي تم إنتاجها باستخدام تقنية 50 نانومتر قادرة على تحمل ما يصل إلى 10 آلاف دورة إعادة كتابة ، بينما تم تصميم 20 نانومتر اليوم NAND في أفضل الأحوال لثلاثة آلاف دورة محو برمجة. بعبارة أخرى ، هناك عقبات خطيرة تحول دون زيادة قابلية توسيع ذاكرة NAND التقليدية ، والتي ، مثل أجهزة أشباه الموصلات الأخرى ، لا تزال خاضعة لقانون مور.

لحسن الحظ ، كل هذا لا يعني أن التقدم سيتباطأ. تأتي الأفكار الجديدة بشكل أساسي للإنقاذ ، وإجراء تغييرات في مبادئ تصميم ذاكرة الفلاش والسماح بزيادة كثافة تخزين المعلومات دون تقليل حجم الخلايا.

كانت الفكرة الأولى من هذا القبيل هي محاولة زيادة سعة الخلايا عند الانتقال من ذاكرة SLC NAND إلى ذاكرة MLC و TLC ، حيث لا تخزن كل خلية واحدة ، بل اثنتين أو ثلاث بتات من المعلومات. يتم تحقيق ذلك عن طريق إدخال عدد أكبر من الفولتية للإشارة. بينما تستخدم خلايا SLC مستويين من الجهد فقط ، يتوافقان مع الحالات المنطقية 0 و 1 ، يستخدم MLC بالفعل أربعة جهد ، ويستخدم TLC ثمانية. ومع ذلك ، في الواقع ، هذا الطريق هو طريق مسدود. إذا كان من الممكن اعتبار الانتقال إلى MLC ناجحًا بالفعل ، فهناك مشاكل خطيرة للغاية مع TLC NAND ، والتي ، كما تظهر الممارسة ، تمنع انتشارها. النقطة المهمة هي أن استخدام عدد كبير من الفولتية في البوابة العائمة للخلية ممكن فقط إذا كانت هذه البوابة ضخمة بما يكفي لاستيعاب عدد كبير من الإلكترونات. لكن إدخال العمليات التقنية ذات المعايير الدقيقة ، على العكس من ذلك ، يقلل من حجم الخلايا ، وبالتالي فإن إطلاق ذاكرة TLC باستخدام تقنيات فئة 10 نانومتر يصبح غير مربح اقتصاديًا. لا يتناقص إنتاج البلورات المناسبة فحسب ، بل ينخفض ​​أيضًا موثوقية التعرف على الإشارة ، الأمر الذي يتطلب إدخال دوائر تحويل أكثر تعقيدًا من التناظرية إلى الرقمية والتحكم في سلامة البيانات في منطق التحكم. بالإضافة إلى ذلك ، تنشأ مشكلة خطيرة أخرى بشكل حاد - التأثير المتبادل للخلايا ، حيث يولد مجالها الكهربائي عمليات التداخل.

من الواضح أن هناك حاجة إلى نهج آخر. وهو نهج ينبغي أن يكون عاملا مساعدا مزيد من التطويرسوق ذاكرة فلاش على مدى السنوات القليلة المقبلة ، ثلاثي الأبعاد (3D) NAND. يكمن جوهرها في حقيقة أنه بدلاً من زيادة كثافة تخزين البيانات على المستوى ثنائي الأبعاد لبلورة أشباه الموصلات ، يُقترح التبديل إلى استخدام القياس الرأسي وترتيب الخلايا ليس فقط مستويًا ، ولكن أيضًا في طبقات.

تمكن أول من الإنتاج الضخم لهذه الذاكرة من الدخول سامسونج، التي تسمى هذه الذاكرة في أدائها V-NAND (من كلمة Vertical) ، بينما ستنضم الشركات المصنعة الأخرى مثل Micron و Toshiba و SanDisk و SK Hynix تكنولوجيا واعدةخلال عام 2015.

الشيء الأكثر إثارة للاهتمام هو أن تقنية 3D NAND تجعل سباق النانومتر غير ضروري على الإطلاق. على سبيل المثال ، شركة Samsung نفسها ، بعد إدخال تقنية 19 نانومتر لتصنيع ذاكرتها المستوية ، لم تتخذ الخطوة التالية ، ولكن على العكس من ذلك ، مع الانتقال إلى إصدار V-NAND ، تراجعت إلى عملية تقنية 40 نانومتر. تم توفير الكثافة العالية لتخزين المعلومات ، والتي لا تقل عن كثافة NAND التقليدية ، والتي تنتجها الشركات المصنعة الأخرى باستخدام عمليات تقنية 16 نانومتر و 19 نانومتر ، من خلال تخطيط متعدد الطبقات. ولكن تم العثور على المكسب الرئيسي من ناحية أخرى: أدت التقنيات الناضجة وعناصر أشباه الموصلات الكبيرة إلى حد كبير إلى زيادة موارد الذاكرة بشكل كبير وجعلت من الممكن تجنب المشاكل ذات العائد المنخفض من البلورات المناسبة.

تمكنت Samsung من تقديم الجيل الأول التجريبي من محركات الأقراص ذات الحالة الثابتة V-NAND SSD العام الماضي. لقد أثبتت محركات أقراص الحالة الصلبة (SSD) الرائدة والموجهة للخوادم قيمتها. توفر الذاكرة المستخدمة فيها ، والتي تجمع بين 24 مستوى رأسيًا والخلايا ، زيادة بنسبة 20 بالمائة في الأداء ، وضاعفت الموثوقية تقريبًا وحسنت بشكل كبير من الاقتصاد في محركات الأقراص المحمولة. أعطى هذا لشركة Samsung كل الأسباب لمواصلة التطور في نفس الاتجاه. والآن الشركة جاهزة لتقديم التكنولوجيا الجديدة إلى السوق الشامل: ظهر الجيل الثاني من V-NAND مع 32 مستوى رأسيًا ووحدة تخزين استهلاكية جديدة تعتمد عليها - SSD 850 Pro ، ظهر في ترسانة Samsung.

وتجدر الإشارة إلى أن V-NAND لا تفترض فقط ترتيب الخلايا في طبقات ، ولكنها تقدم أيضًا بعض التغييرات في البنية الأساسية لخلايا ذاكرة الفلاش. إلى جانب التحول الهيكلي ، استفادت Samsung من تقنية Charge Trap Flash (CTF) ، وهي "فلاش مصيدة الشحن" التي طورها مهندسو الشركة في عام 2006. الفكرة هي أن الشحنة لا يتم تخزينها في بوابة عائمة من البولي سيليكون مخدر ، ولكن في طبقة رقيقة من نيتريد السيليكون غير الموصلة. هذه التكنولوجيا قابلة للتكيف بسهولة مع التصميم ثلاثي الأبعاد: يتم وضع العازل بين بوابة التحكم وقناة أشباه الموصلات في أسطوانات متحدة المركز ، مما يزيد في النهاية من موثوقية الدائرة بأكملها ويقلل من احتمالية حدوث عيوب هيكلية في الإنتاج متعدد الطبقات. بالإضافة إلى ذلك ، يمكن لتقنية CTF أن تقلل من مستوى الجهد المطلوب لبرمجة الخلايا. وهذا ، بطبيعة الحال ، له تأثير إيجابي على حياتهم.

نتيجة لذلك ، نما مورد V-NAND من Samsung بشكل كبير: يمكن أن تتحمل نفس بلورات ذاكرة الفلاش ذات 32 مستوى الموجودة في Samsung 850 Pro ما يصل إلى 35000 دورة محو برمجة. أي أنها أقوى من MLC NAND المسطحة الحديثة ، والتي تستخدم عادة في محركات أقراص الحالة الثابتة للمستهلكين. بالإضافة إلى ذلك ، فإن خفض جهد البرمجة له ​​تأثير إيجابي على كل من استهلاك الطاقة وأداء الكتابة.

ميزة أخرى مهمة لـ V-NAND هي تماسكها. تبلغ سعة بلورات أشباه الموصلات V-NAND من الجيل الثاني المستخدمة في Samsung 850 Pro ، والتي يتم إنتاجها باستخدام تقنية 40 نانومتر ، 86 جيجابت في الثانية ، بينما تبلغ مساحتها حوالي 95 مم 2. وبالتالي ، فإن كثافة التخزين في V-NAND تتجاوز كثافة التخزين في رقائق ذاكرة الفلاش المستوية مقاس 16 نانومتر التي تصنعها شركة Micron بحوالي 20 بالمائة. بالإضافة إلى ذلك ، فإن Samsung ، التي تنفذ دورة إنتاج كاملة من البداية إلى النهاية ، لديها القدرة على تجميع ما يصل إلى 16 مركزًا V-NAND في شريحة واحدة. وهذا يعني أن الحجم الأقصى لشريحة ذاكرة فلاش ثلاثية الأبعاد يمكن أن يصل إلى 172 جيجا بايت.

بالطبع ، لن تظهر العديد من مزايا تقنية V-NAND إلا لاحقًا. على سبيل المثال ، لا تسمح واجهة SATA 6 جيجابت / ثانية المستخدمة اليوم ، إلى جانب بروتوكول AHCI ، بالكشف عن السرعة الكاملة للذاكرة الجديدة ، وفي نماذج SSD المستقبلية مع الواجهة بي سي اي اكسبريسستكون قادرة على التألق بألوان جديدة. الأهم من ذلك ، أن تقنية الذاكرة ثلاثية الأبعاد قابلة للتطوير بدرجة كبيرة. من غير المحتمل أن تتجاوز سعة رقائق NAND المسطحة البسيطة 128 جيجابت في الثانية ، ويتيح لك V-NAND إضافة طبقات جديدة بسلاسة وبالتالي زيادة السعة. لذلك ، تخطط Samsung لإطلاق بلورات تيرابت في عام 2017 ، ولا يوجد سبب لعدم اتخاذ هذا الإنجاز. على طول الطريق ، يمكن بسهولة نقل V-NAND ، الذي يتم إنتاجه وفقًا لعمليات تقنية ناضجة إلى حد ما ، إلى تصميم TLC ، وهذا لن يؤدي إلى انخفاض كارثي في ​​الموثوقية. ومع ذلك هذه اللحظةلم يتم النظر في مثل هذه الاحتمالات ، وفي السنوات القادمة سيكون التركيز على توسيع نطاق الذاكرة في البعد الرأسي.

في المستقبل القريب ، يمكننا توقع اعتماد V-NAND على نطاق واسع في العديد من منتجات Samsung. من أجل هذه الذاكرة ، أطلقت الشركة مصنعًا خاصًا في مدينة شيان الصينية ، والذي من المفترض أن يصل بحلول نهاية هذا العام القوة الكاملة... من الغريب أن تقنية المعالجة البالغة 40 نانومتر المستخدمة في هذا المصنع جعلت من الممكن الحصول على معدات إنتاج رخيصة إلى حد ما ، كما أن إضافة طبقات جديدة إلى NAND ثلاثية الأبعاد لا تتطلب عمليا أي استثمار إضافي. على سبيل المثال ، يتم تصنيع ذاكرة 32 طبقة على نفس خطوط الإنتاج التي كانت تنتج ذاكرة ذات 24 طبقة مسبقًا. وهذا يعني أن هناك ميزة أخرى تكنولوجيا جديدةهناك إمكانية التوفير في إعادة تجهيز الإنتاج التقني مع زيادة كثافة تخزين البيانات.

اتضح أن V-NAND يمكن أن تفتخر بجميع المزايا الممكنة ، دفعة واحدة. لديها زمن انتقال منخفض ، وموثوق بها للغاية ، وتوفر كثافة تخزين عالية ، وموفرة للطاقة ، وتكلفة إنتاجها منخفضة نسبيًا. وإذا تم وضع هذه الذاكرة في محرك أقراص به وحدة تحكم حديثة ، فيبدو أن نموذجًا مذهلاً يجب أن يتفوق على كل ما تم إصداره حتى الآن. هل أصدرت سامسونج مثل هذا النموذج؟ دعنا نلقي نظرة فاحصة على 850 Pro.

⇡ مواصفات Samsung 850 Pro

يعد محرك Samsung 850 Pro الرائد الجديد استمرارًا منطقيًا لخط الشركة من محركات أقراص الحالة الصلبة للمستهلكين. من خلال القيام بذلك ، تبتكر Samsung بشكل صارم ، و V-NAND هي الميزة الأساسية الوحيدة لـ 850 Pro على سابقاتها. يستمر محرك الأقراص هذا في استخدام واجهة SATA المألوفة 6 جيجابت / ثانية ويبني على وحدة التحكم MEX المألوفة المكونة من ثماني قنوات والموجودة في سلسلة 840 EVO لفترة طويلة. علاوة على ذلك ، احتفظ جهاز التحكم MEX ، الذي يعتمد على ثلاثة مراكز مع بنية ARM ، في النموذج الجديد بتردد تشغيل يبلغ 400 ميجاهرتز. ومع ذلك ، من أجل الإنصاف ، نلاحظ أنه في محرك أقراص فلاش الرائد السابق من سامسونج ، 840 Pro ، تعمل وحدة التحكم MDX المماثلة في الهندسة عند 300 ميجاهرتز.

في نفس الوقت ، مايكرو برنامج سامسونجتمت إعادة كتابة 850 Pro بالكامل تقريبًا. يتم تنفيذ دعم V-NAND بدقة من خلاله ، وتتطلب فترات الاستجابة المنخفضة لكتابة ومحو المعلومات التي توفرها هذه الذاكرة ، ومورد أعلى للخلايا وجميع الميزات المميزة الأخرى تحسينات خاصة.

نتيجة لذلك ، تلقت سلسلة Samsung 850 Pro مجموعة الميزات التالية:

في حين أن الكثير من أداء Samsung 850 Pro مقيد بقدراته واجهة SATA 6 جيجابت في الثانية ، حتى المواصفات الرسمية البسيطة تتيح لك الشعور بالقوة المخفية في محرك الأقراص المحمول هذا. انتبه لخصائص السرعة للموديل الأصغر بسعة 128 جيجا بايت. لا يتخلف هذا التعديل عمليا عن إخوانه الأكبر سنا ، على الرغم من حقيقة أن وحدة التحكم فيه لا يمكنها استخدام تبديل الأجهزة في قنواتها. سرعات الكتابة النموذجية لمحركات أقراص الحالة الصلبة 128 جيجابايت مع SATA 6 جيجابت / ثانية في حدود 300 ميجابايت / ثانية ، لكن Samsung 850 Pro من نفس الحجم ينتج 470 ميجابايت / ثانية كحد أقصى ممكن تقريبًا. يشير هذا بوضوح إلى سرعات الكتابة الأعلى بشكل ملحوظ التي توفرها تقنية V-NAND. يبدو من المحتمل جدًا أنه عندما تصدر Samsung أخيرًا محرك أقراص فلاش PCI Express المستند إلى V-NAND ، فسيكون ذلك بمثابة قنبلة. ومع ذلك ، لا يزال يتعين علينا أن نرتقي إلى مستوى هذه اللحظة الرائعة.

الميزة الثانية لـ V-NAND ، تظهر بوضوح في الجدول مواصفات سامسونج 850 Pro - موثوقية عالية. تحتوي جميع التعديلات ، بما في ذلك الطراز الأصغر بسعة 128 جيجابايت ، على مورد كتابة مُعلن عند مستوى 150 تيرابايت ، أي 80 جيجابايت يوميًا لمدة خمس سنوات. وهذا ليس أكثر مما وعد به أي طراز SSD للمستهلك. تؤكد الشركة المصنعة أن مثل هذا المورد لم يتم إنشاؤه لأسباب تقنية ، ولكن لأسباب سياسية ، بحيث لا يخلق Samsung 850 Pro منافسة داخلية لنماذج الخوادم ذات المستوى الأعلى. موثوقية مضمونة... في الواقع ، يتم قياس كمية البيانات التي يمكن كتابتها على محركات أقراص الحالة الصلبة الجديدة بذاكرة فلاش ثلاثية الأبعاد بالبيتابايت. بمعنى آخر ، يجب ألا تكون مشكلة استنفاد مورد التسجيل أثناء استخدام سطح المكتب النموذجي لجهاز Samsung 850 Pro على الإطلاق. هذا هو سبب تمديد فترة الضمان إلى 10 سنوات.

أود أن أشير إلى التنفيذ في Samsung 850 Pro لعدد من التقنيات المفيدة عند تثبيت محرك الأقراص هذا في أجهزة الكمبيوتر المحمولة. على وجه الخصوص ، قام SSD بتحسين دعم حالة DevSleep ، والتي تتيح لك إرسال محرك الأقراص إلى وضع السكون باستهلاك يبلغ حوالي 2 ميجاوات. تدعم وحدة التحكم أيضًا مراقبة درجة الحرارة ، وعندما يتم تسخين محرك الأقراص إلى ظروف حرجة ، يتم تشغيل الاختناق تلقائيًا.

تم تنفيذه في Samsung 850 Pro وتشفير الأجهزة باستخدام خوارزمية AES مع مفتاح 256 بت. كما هو الحال مع محركات SSD السابقة للشركة ، يتوافق محرك التشفير مع مواصفات Windows eDrive (IEEE 1667) و TCG Opal 2.0 ، مما يعني أنه يمكن إدارة التشفير من داخل نظام التشغيل ، على سبيل المثال من خلال BitLocker القياسي.

إلى ما قيل ، يبقى فقط إضافة أن Samsung تنتمي إلى عدد صغير من الشركات المصنعة التي تهتم بتزويد المستخدمين بأدوات خدمة ملائمة. مع Samsung 850 Pro ، يعمل برنامج Samsung Magician بشكل رائع ، مع مجموعة شاملة من الميزات ، بما في ذلك تحديثات البرامج الثابتة ، ومراقبة صحة محرك أقراص فلاش ، وتحسين نظام التشغيل ، والمزيد.

بشكل منفصل ، يجب أن يقال عن تقنية برنامج RAPID المطبقة في Samsung Magician ، والتي يمكن أن تعمل جنبًا إلى جنب مع المنتج الجديد وتسمح لك بتخصيص جزء من ذاكرة الوصول العشوائي للتخزين المؤقت للمكالمات إلى SSD. في الوقت نفسه ، تزداد أسعار تبادل البيانات بالطبع ، لكن ثمن ذلك هو خطر فقدان المعلومات المخزنة مؤقتًا في الذاكرة في حالة انقطاع التيار الكهربائي المفاجئ أو إعادة التشغيل أو تجميد النظام. في نفس الوقت مع إصدار سامسونجفي 850 Pro ، قامت الشركة المصنعة بتحديث تقنية RAPID إلى الإصدار 2.0 ، والآن يمكنها تخصيص 1 غيغابايت من الذاكرة أو 4 غيغابايت لذاكرة التخزين المؤقت ، اعتمادًا على ما إذا كان قد تم تثبيت 16 غيغابايت من ذاكرة الوصول العشوائي في النظام.

الهيكل الخارجي والداخلي

اختبرنا Samsung 850 Pro بسعة 256 جيجا بايت. من حيث الأداء ، يتمتع هذا الطراز ، مثل نظرائه بسعة 512 جيجابايت و 1 تيرابايت ، بأعلى أداء ممكن.

خارجيًا ، يختلف Samsung 850 Pro قليلاً عن محركات أقراص فلاش Samsung السابقة. يستخدم SSD نفس الهيكل الذي يبلغ ارتفاعه 2.5 بوصة والذي يبلغ 7 مم تمامًا مثل الطراز الرائد الأخير ، 840 Pro. اللون الخارجي أسود ، والسطح الأمامي مطلي بشعار Samsung ومربع برتقالي بشكل أو بآخر موجود على جميع أقراص SSD الخاصة بالشركة من نفس الشكل. يوجد ملصق على ظهر العلبة ، يمكنك من خلاله الحصول على معلومات حول اسم وسعة النموذج ومقاله ورقمه التسلسلي.

تعتبر الأجزاء الداخلية من Samsung 850 Pro 256 GB أكثر إثارة للاهتمام. أول ما يلفت الأنظار هو أن SSD هذا يعتمد على ثنائي الفينيل متعدد الكلور منزوع لأسفل. تحتوي هذه اللوحة على ستة دوائر كهربائية فقط.

الدائرة المصغرة الأولى هي وحدة التحكم Samsung MEX نفسها. وتجدر الإشارة إلى عدم وجود حشوات موصلة للحرارة عليها ، ولا تتلامس مع الجسم. أي أن الشركة المصنعة على يقين من أن تبديد الحرارة لوحدة التحكم لا يكاد يذكر. شريحة ذاكرة مثبتة فوق وحدة التحكم. في حالتنا ، هذا 512 ميجابايت LPDDR2-1067 يستخدم كمخزن مؤقت.

أما بالنسبة للرقائق الأربع المتبقية بذاكرة فلاش ، فقد تبين أن مجموعتها كانت غير عادية إلى حد ما. نظرًا لأن سعة تخزين بلورات V-NAND المستخدمة في Samsung 850 Pro تبلغ 86 جيجابت في الثانية ، اثنان أنواع مختلفةالدوائر المصغرة: دارتان صغيرتان مع أربعة نوى ودائرتان صغيرتان مع ثمانية نوى. وبالتالي ، فإن وحدة التحكم تتناول 24 نواة على ثماني قنوات ، أي أنها تستخدم ثلاثة أضعاف تشذير الأجهزة في كل قناة. ومع ذلك ، كما رأينا من خصائص الأداء ، فهذه ليست مشكلة ويظهر Samsung 850 Pro 256 GB أقصى سرعة ممكنة تحت أي ظروف تحميل.

إذا قمت بإضافة سموم 24 86 جيجا بايت معًا ، فإن إجمالي سعة تخزين الفلاش في Samsung 850 Pro 256 جيجا بايت هو في الواقع 258 جيجا بايت. من بين هؤلاء ، يتوفر فقط 238.4 جيجا بايت التقليدية للمستخدم ، ويتم تخصيص 7.6 في المائة المتبقية من السعة لتشغيل تقنيات جمع القمامة ، وتسوية التآكل ، وربما لصندوق بديل ، والحاجة إليه للذاكرة مع مصدر من 35 ألف دورة إعادة كتابة يثير بعض الشكوك.

ومع ذلك ، لا تحتوي لوحة الدوائر المطبوعة Samsung 850 Pro على أي بنوك مكثفة ، مما يعني أن SSD هذا لا يوفر أي وسيلة خاصة للحفاظ على سلامة المعلومات في حالة انقطاع التيار الكهربائي المفاجئ. هذا سبب آخر لعدم إمكانية تصنيف محرك أقراص المستهلك المبني على V-NAND بمورد لا نهائي تقريبًا كحل خادم.

منهجية الاختبار

يتم الاختبار في غرفة العمليات نظام مايكروسوفت Windows 8.1 Professional x64 مع التحديث ، الذي يتعرف بشكل صحيح على محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة الحديثة ويديرها. هذا يعني أن أمر TRIM يتم دعمه واستخدامه بنشاط أثناء الاختبارات ، كما هو الحال في الاستخدام اليومي العادي لمحرك أقراص الحالة الصلبة. يُقاس الأداء بمحركات الأقراص في حالة "مستعملة" عن طريق ملئها مسبقًا بالبيانات. يتم تنظيف محركات الأقراص وصيانتها بواسطة الأمر TRIM قبل كل اختبار. هناك فترة توقف مدتها 15 دقيقة بين الاختبارات الفردية ، وهي مخصصة للممارسة الصحيحة لتقنية جمع القمامة. جميع الاختبارات ، ما لم يذكر خلاف ذلك ، تستخدم بيانات عشوائية غير قابلة للضغط.

التطبيقات والاختبارات المستخدمة:

• ايوميتر 1.1.0

1. قياس سرعة القراءة والكتابة المتسلسلة للبيانات في كتل من 256 كيلوبايت (حجم الكتلة الأكثر نموذجية للعمليات المتسلسلة في مهام سطح المكتب). يتم تقدير السرعات في غضون دقيقة ، وبعد ذلك يتم حساب المتوسط.
2. قياس سرعة القراءة والكتابة العشوائية في كتل 4 كيلوبايت (يتم استخدام حجم الكتلة هذا في الغالبية العظمى من العمليات الحقيقية). يتم إجراء الاختبار مرتين - بدون قائمة انتظار الطلبات وقائمة انتظار الطلبات بعمق 4 أوامر (نموذجي لتطبيقات سطح المكتب التي تعمل بنشاط مع نظام الملفات المتفرعة). تتم محاذاة كتل البيانات بالنسبة إلى صفحات محرك أقراص فلاش. يتم تقدير السرعات أثناء ثلاث دقائق، وبعد ذلك يتم حساب المتوسط.
3. تحديد اعتماد سرعات القراءة والكتابة العشوائية أثناء تشغيل محرك أقراص مع كتل 4K على عمق قائمة انتظار الطلبات (في النطاق من أمر واحد إلى 32 أمرًا). تتم محاذاة كتل البيانات بالنسبة إلى صفحات محرك أقراص فلاش. يتم إجراء تقييم السرعات في غضون ثلاث دقائق ، وبعد ذلك يتم حساب المتوسط.
4. تحديد اعتماد سرعات القراءة والكتابة العشوائية عند تشغيل محرك الأقراص بكتل ذات أحجام مختلفة. يتم استخدام كتل حجمها من 512 بايت إلى 256 كيلو بايت. عمق قائمة انتظار الطلبات أثناء الاختبار هو 4 أوامر. تتم محاذاة كتل البيانات بالنسبة إلى صفحات محرك أقراص فلاش. يتم إجراء تقييم السرعات في غضون ثلاث دقائق ، وبعد ذلك يتم حساب المتوسط.
5. قياس الأداء في ظل حمل مختلط متعدد مؤشرات الترابط وإثبات اعتماده على النسبة بين عمليات القراءة والكتابة. يتم استخدام عمليات القراءة والكتابة المتتابعة لكتل ​​128 كيلو بايت ، ويتم إجراؤها في دفقين مستقلين. تختلف النسبة بين عمليات القراءة والكتابة بزيادات قدرها 10 بالمائة. يتم إجراء تقييم السرعات في غضون ثلاث دقائق ، وبعد ذلك يتم حساب المتوسط.
6. التحقيق في تدهور أداء SSD عند معالجة سير عمل الكتابة العشوائية المستمرة. الكتل هي 4 كيلو بايت وعمق قائمة الانتظار 32 أمرًا. تتم محاذاة كتل البيانات بالنسبة إلى صفحات محرك أقراص فلاش. مدة الاختبار ساعتان ، ويتم إجراء قياسات لحظية للسرعة كل ثانية. في نهاية الاختبار ، يتم أيضًا التحقق من قدرة محرك الأقراص على استعادة أدائه إلى قيمه الأصلية بسبب عمل تقنية جمع البيانات المهملة وبعد تنفيذ أمر TRIM.

• CrystalDiskMark 3.0.3 ب
  معيار تركيبي يوفر مقاييس أداء نموذجية لمحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة كما تم قياسها على مساحة قرص 1 جيجابايت "أعلى" نظام الملفات. من بين مجموعة المعلمات الكاملة التي يمكن تقديرها باستخدام هذه الأداة المساعدة ، نولي اهتمامًا لسرعة القراءة والكتابة المتسلسلة ، بالإضافة إلى أداء عمليات القراءة والكتابة العشوائية في كتل 4K دون قائمة انتظار الطلبات وبقائمة انتظار تتكون من 32 أمرًا عميقًا .
• PCMark 8 2.0.0 تحديث
  معيار يعتمد على محاكاة حمل قرص حقيقي ، وهو أمر نموذجي للعديد من التطبيقات الشائعة. على محرك الأقراص الذي تم اختباره ، يتم إنشاء قسم NTFS واحد لكامل المساحة المتوفرة ، ويتم إجراء اختبار التخزين الثانوي في PCMark 8. كنتائج اختبار ، يتم أخذ كل من الأداء النهائي وسرعة التنفيذ لآثار الاختبار الفردية الناتجة عن التطبيقات المختلفة في الاعتبار.

⇡ منصة اختبار

جهاز كمبيوتر مع اللوحة الأم ASUS Z97-Pro ، المعالج الأساسي i5-4590 مع رسومات مدمجة إنتل كور HD Graphics 4600 و 16 جيجا بايت DDR3-2133 SDRAM. تتصل محركات أقراص SATA بوحدة التحكم SATA 6 جيجابت / ثانية المضمنة في مجموعة شرائح اللوحة الأم وتعمل فيها وضع AHCI... يتم استخدام برنامج تشغيل Intel Rapid Storage Technology (RST) 13.1.0.1058.

يشار إلى حجم وسرعة نقل البيانات في المعايير بوحدات ثنائية (1 كيلوبايت = 1024 بايت).

⇡ اختبار المشاركين

• Crucial M550 256GB (CT256M550SSD1 ، البرامج الثابتة MU01)
• Intel SSD 730480 GB (SSDSC2BP480G4 ، البرامج الثابتة L2010400) ؛
• OCZ Vector 150240 GB (VTR150-25SAT3-240G ، البرامج الثابتة 1.2) ؛
• Plextor M5 Pro Xtreme 256 جيجابايت (PX-256M5P ، البرنامج الثابت 1.07) ؛
• Samsung 840 Pro 256 GB (MZ-7PD256 ، البرنامج الثابت DXM06B0Q) ؛
• Samsung 850 Pro 256 GB (MZ-7KE256 ، البرامج الثابتة EXM01B6Q) ؛
• SanDisk Extreme II 240 جيجابايت (SDSSDXP-240G ، البرنامج الثابت R1311).

⇡ الأداء

عمليات القراءة والكتابة المتسلسلة ، IOMeter

كما وعدت المواصفات ، فإن العمليات المتسلسلة لـ Samsung 850 Pro محدودة بنطاق SATA 6Gb / s. بمعنى آخر ، ليس لدينا هنا الفرصة لمعرفة مدى إنتاجية منصة Samsung المبنية على V-NAND ، ولكن على أي حال ، لن تجد قراءة متسلسلة أو كتابة أسرع لمحرك أقراص الحالة الصلبة باستخدام SATA واجهه المستخدم.

⇡ عمليات القراءة والكتابة العشوائية ، IOMeter

ولكن في حالة القراءة العشوائية ، يمكن رؤية قوة محرك فلاش Samsung الجديد بوضوح. نحن نتعامل بالفعل مع SSD للمستهلك يقدم أعلى أداء حتى الآن. وعلى الرغم من أن الرسوم البيانية أعلاه تشير فقط إلى عمليات القراءة العشوائية ، يمكن نقل هذا الاستنتاج إلى معظم نشاط القرص المتأصل في أجهزة الكمبيوتر الشخصية. إن عمليات القراءة العشوائية ذات العمق المنخفض لقائمة انتظار الطلبات هي التي تشكل الجزء الأكبر من الحمل الذي يقع على الأقراص الحديثة ، كما أن Samsung 850 Pro ، كما نرى ، "شحذ" تمامًا لذلك.

مع عمليات الكتابة العشوائية ، فإن الصورة ليست واضحة للغاية. في حالة عدم وجود قائمة انتظار للطلبات ، فإن Samsung 850 Pro بشكل غير متوقع أقل من OCZ Vector 150 و Crucial M550. ومع ذلك ، فإن الزيادة في عمق قائمة الانتظار تعيد كل شيء إلى مكانه ، ويحتل Samsung 850 Pro مرة أخرى السطر العلوي في المخطط.

دعنا الآن نلقي نظرة على كيفية اعتماد أداء Samsung 850 Pro على عمق قائمة انتظار الطلبات عند العمل مع كتل 4K.

عند القراءة بأعماق متفاوتة لقائمة الانتظار ، فإن Samsung 850 Pro هو أفضل محرك أقراص SATA 6 جيجابت / ثانية في السوق. عند التسجيل بقائمة انتظار مكونة من أمرين أو أمرين ، فإنه لا يزال أدنى قليلاً من Crucial M550 و OCZ Vector 150. ومع ذلك ، لنقول أن منتج Samsung الجديد ليس سريعًا بما يكفي ، فإن اللغة لا تستدير هنا أيضًا.

يوضح الزوج التالي من الرسوم البيانية اعتماد أداء العمليات العشوائية على حجم كتلة البيانات.

يعمل Samsung 850 Pro بشكل جيد مع الكتل بأي طول لأي عملية. في كلتا الحالتين ، فإن الخط الذي يظهر أدائه ، كما كان ، يحد مؤشرات محركات الأقراص الأخرى في الأعلى. وهذا يعني أنه لا يوجد خيار واحد لحجم الكتلة لا يظهر فيه SSD قيد الدراسة أفضل نتيجة.

يعد اختبار الحمل المختلط إضافة جديدة إلى منهجية اختبار SSD الخاصة بنا. نظرًا لأن التكلفة أصبحت أرخص ، لم تعد تُستخدم محركات الأقراص ذات الحالة الصلبة كمحركات أقراص نظامية حصرية وتصبح أقراص خدش عادية. في مثل هذه الحالات ، ليس فقط الحمل المكرر في شكل كتابة أو قراءة يقع على SSD ، ولكن أيضًا الطلبات المختلطة ، عندما تبدأ عمليات القراءة والكتابة بواسطة تطبيقات مختلفة وتصل في نفس الوقت.

ومع ذلك ، لا تزال عملية الازدواج الكاملة لوحدات تحكم SSD الحديثة تمثل تحديًا كبيرًا. يؤدي المزج بين القراءة والكتابة في نفس قائمة الانتظار إلى إبطاء سرعة معظم محركات أقراص الحالة الثابتة من فئة المستهلكين. كان هذا هو سبب إجراء دراسة منفصلة نختبر فيها كيفية أداء محركات أقراص الحالة الثابتة عندما يكون من الضروري التعامل مع العمليات المتسلسلة المختلطة. يوضح الرسم البياني التالي الحالة الأكثر شيوعًا لسطح المكتب ، عندما تكون نسبة عدد مرات القراءة والكتابة من 4 إلى 1.

على النحو التالي من الرسم البياني أعلاه ، على الرغم من هيكلها ثلاثي النواة ، لم تتعلم وحدات تحكم Samsung بعد كيفية العمل بفعالية مع عمليات القراءة والكتابة المختلطة. إذا تم خلط الدفق الثاني لبدء الكتابة بقراءة متسلسلة ، فإن سرعة Samsung 850 Pro تنخفض إلى ما دون المستوى الذي حدده Crucial M550 و OCZ Vector 150. بمعنى آخر ، يضع الحمل المختلط منتج Samsung الجديد ، والذي يوضح ببساطة نتائج رائعة في معظم الاختبارات ، في وضع غير مؤات ...

يعطي الرسم البياني التالي صورة أكثر تفصيلاً للأداء في ظل الحمل المختلط ، ويوضح اعتماد سرعة SSD على نسبة عمليات القراءة والكتابة إليها.

كلما زادت عمليات القراءة والكتابة المختلطة ، انخفض أداء Samsung 850 Pro. من الواضح أن المنحنى المقابل لمحرك الأقراص المحمول هذا على شكل حرف U ، مما يشير إلى أن وحدة التحكم Samsung MEX غير محسّنة بشكل جيد لتشغيل مزدوج كامل. ومع ذلك ، فإن هذا السلوك هو بلاء أي محركات أقراص صلبة حديثة لأجهزة الكمبيوتر الشخصية ، باستثناء ربما OCZ Vector 150. ومع ذلك ، فإن الانخفاض في أداء Samsung 850 Pro في العمليات المختلطة يصل إلى ضعف الحجم ، وهو أكثر قليلاً من تلك الخاصة بمحركات أقراص الحالة الصلبة الأخرى.

⇡ تدهور الأداء واستعادته

تعد مراقبة التغيير في سرعة الكتابة اعتمادًا على كمية المعلومات المسجلة على القرص تجربة مهمة للغاية تسمح لك بفهم عمل الخوارزميات الداخلية لمحرك الأقراص. في هذا الاختبار ، نقوم بتحميل SSD بتدفق مستمر من الطلبات لكتابة كتل 4K بشكل عشوائي ، وعلى طول الطريق ، نراقب الأداء الذي يتم ملاحظته. في الرسم البياني أدناه ، تمثل النقاط قياسات الأداء اللحظية التي نلتقطها كل ثانية ، ويظهر الخط الأسود متوسط ​​السرعة الملاحظة خلال فترة 30 ثانية.

أسفرت التجربة عن رسم بياني مثالي. حتى تملأه بكامل طاقته ، يوضح Samsung 850 Pro سرعة كتابة متسقة وعالية ، ثم يبدأ الأداء في الانخفاض. ومع ذلك ، فإن درجة انخفاض الأداء ليست عالية جدًا ، في البداية تنخفض السرعة من 90 إلى 70 ألف IOPS فقط وعندها فقط تقترب بسلاسة من الخط المقارب ، والذي يقع في منطقة 13 ألف IOPS. هذا يعني أنه حتى في الحالة المستخدمة ، فإن أداء Samsung 850 Pro أفضل من محركات أقراص الحالة الصلبة للمستهلكين الآخرين ، والتي تتدهور سرعة الكتابة الخاصة بها أكثر من ذلك بكثير. ومن الأمثلة الجيدة على ذلك حقيقة أنه خلال اختبار التحمل لمدة ساعتين ، تمكنا من تسجيل إجمالي 867 جيجابايت من البيانات على Samsung 850 Pro بسعة 256 جيجابايت. عند إجراء اختبار مماثل مع محركات أقراص فلاش رئيسية أخرى لها نفس السعة ، يكون حجم المعلومات المسجلة عادة حوالي 700-720 جيجابايت.

من الجدير بالذكر كيف يحافظ Samsung 850 Pro على سرعة الكتابة الثابتة. حتى بعد ملئه مرة واحدة ، يكون التشتت غير مرئي تقريبًا ، مما يعني أن Samsung 850 Pro سيكون مناسبًا تمامًا للتطبيقات التي تتطلب تناسقًا في الأداء.

ومع ذلك ، فإن كل ما يظهر في الرسم البياني أعلاه هو في الغالب موقف مصطنع ، ومثير للاهتمام فقط لدراسة ميزات وحدة التحكم ، ولكن لا يوضح سلوك SSD في الحياة الواقعية في كمبيوتر شخصي... ما هو مهم حقًا هو كيف ، بعد هذا التدهور ، يتم استعادة الأداء إلى قيمه الأصلية. للتحقيق في هذه المشكلة ، بعد الانتهاء من الاختبار الذي أدى إلى تدهور سرعة الكتابة ، ننتظر 15 دقيقة ، خلالها يمكن لمحرك الأقراص الصلبة أن يحاول الاسترداد من تلقاء نفسه بسبب جمع البيانات المهملة ، ولكن بدون مساعدة نظام التشغيل وأمر TRIM ، وقياس السرعة. ثم يتم إرسال أمر TRIM بالقوة إلى محرك الأقراص - ويتم قياس السرعة مرة أخرى.

CrystalDiskMark هو تطبيق قياس أداء شائع وبسيط يعمل "أعلى" نظام الملفات لإنتاج نتائج قابلة للتكرار. مستخدمين عاديين... وما يقدمه هذا المعيار ، من وجهة نظر نوعية ، لا يختلف تقريبًا عن المؤشرات التي حصلنا عليها في حزمة IOmeter الثقيلة ومتعددة الوظائف. في ظل جميع ظروف التحميل تقريبًا ، يعد Samsung 850 Pro من بين الرواد ، وفي عمليات القراءة العشوائية بدون طابور من الطلبات ، يكون أداؤه أعلى بشكل ملحوظ من أداء محركات أقراص الحالة الصلبة الأخرى من الشركات الأخرى. هناك استثناء واحد فقط - التسجيل العشوائي بدون قائمة انتظار للطلبات: هنا يخسر Samsung 850 Pro أمام OCZ Vector 150 و Crucial M550. ومع ذلك ، لا ينبغي أن يؤخذ هذا الفشل في محرك الأقراص المحمول المعني على محمل الجد - نادرًا ما يحدث مثل هذا الحمل أثناء الاستخدام العادي لسطح المكتب.

⇡ حالات استخدام PCMark 8 2.0 في العالم الحقيقي

تعتبر مجموعة اختبار Futuremark PCMark 8 2.0 مثيرة للاهتمام من حيث أنها ليست اصطناعية بطبيعتها ، بل تعتمد على كيفية عمل التطبيقات الحقيقية. في سياق مروره ، يتم إعادة إنتاج السيناريوهات الحقيقية لاستخدام القرص في مهام سطح المكتب الشائعة ويتم قياس سرعة تنفيذها. يحاكي الإصدار الحالي من هذا الاختبار حمولة مأخوذة من تطبيقات اللعبة الحقيقية Battlefield 3 و World of Warcraft و باقات البرامج المحوسبةمن Abobe و Microsoft: After Effects و Illustrator و InDesign و Photoshop و Excel و PowerPoint و Word. يتم حساب النتيجة النهائية في شكل متوسط ​​السرعة التي تظهرها محركات الأقراص عند اجتياز مسارات الاختبار.

يعد الأداء في PCMark 8 أحد أهم المعلمات لفهم مدى جودة محرك أقراص معين استخدام حقيقي... وإذا اعتمدنا على المؤشرات التي تم الحصول عليها هنا ، فإن الاستنتاج يشير إلى أن Samsung 850 Pro ، الذي أدهشنا بأعلى النتائج في مختلف الاختبارات التركيبية ، تبين أنه مختلف تمامًا في العمل الحقيقي في التطبيقات. SSD سريعكما بدا في البداية. لا يتفوق عليه فقط الإصدار عالي السرعة 480 جيجا بايت من Intel 730 ، ولكنه أيضًا أقل شأنا من سابقه ، Samsung 840 Pro. لكي نكون صادقين ، يبدو هذا الوضع غير طبيعي إلى حد ما وغير متوافق مع بقية الاختبارات. لذلك ، هناك شك في أن المشكلة تكمن ، على سبيل المثال ، في بعض تحسينات البرامج غير الناجحة التي يمكن إصلاحها في إصدارات البرامج الثابتة المستقبلية.

ومع ذلك ، يجب استكمال النتيجة المتكاملة لـ PCMark 8 بمؤشرات الأداء التي تقدمها محركات أقراص فلاش عند اجتياز مسارات اختبار منفصلة ، والتي تحاكي المتغيرات المختلفة للحمل الحقيقي. النقطة المهمة هي أن محركات الأقراص المحمولة التي تم اختبارها تتصرف بشكل مختلف قليلاً في ظل الأحمال المختلفة.

اتضح أن Samsung 850 Pro لديه العديد من التطبيقات الإشكالية في وقت واحد ، والنتائج التي أدت إلى خفض مجموع نقاط PCMark 8. هذه - مايكروسوفت وورد، ساحة المعركة 3، أدوبي فوتوشوبعند العمل مع الصور "الثقيلة" ، أدوبي إليستريتورو Adobe AfterEffects. تتميز التطبيقات المدرجة بحقيقة أن الحمل فيها غير متجانس بشكل واضح مع عمليات القراءة السائدة ، لكن عمليات الكتابة المختلطة معها تقلل بشكل خطير من سرعة القراءة. لقد رأينا موقفًا مشابهًا في اختبارات الحمل المختلط ، ويتجلى هنا في نتائج اختبار بناءً على مشاكل حقيقية.

⇡ اختبار التحمل

يتم تقديم نتائج اختبار تحمل محرك الأقراص المعني في مادة خاصة منفصلة "اختبارات موارد محرك أقراص الحالة الصلبة".

⇡ الاستنتاجات

في الآونة الأخيرة ، ظهور كل حالة صلبة جديدة تخزين سامسونجهي ثورة صغيرة. تقدم الشركة باستمرار تقنيات جديدة بشكل أساسي وتزيد من إنتاجية الحلول الخاصة بها ، وتقدم المزيد والمزيد في كل مرة. و Samsung 850 Pro ليس استثناءً: في الواقع ، اتضح أنه أفضل محرك أقراص SATA 6 جيجابت / ثانية رأيناه.

ومع ذلك ، للإعلان عن أن الجدة جلبت أداء محركات أقراص الحالة الصلبة للمستهلكين مستوى جديد، لا نستطيع. في الواقع ، الميزة التي يوفرها هي ميزة رسمية بحتة. لكن الكوريين ليسوا مسؤولين ، فمن الواضح أن أداء Samsung 850 Pro محدود بقدرات الواجهة. لا يمكن رؤية حقيقة إخفاء قدر كبير من الطاقة بداخله إلا من خلال سرعة القراءة العشوائية في كتل تبلغ 4 كيلوبايت ، حيث تبلغ ميزة العنصر الجديد على محركات أقراص الحالة الصلبة الأخرى الرئيسية حوالي 6-7 بالمائة.

ومع ذلك ، على الرغم من التفوق العابر للنموذج الجديد على محركات الأقراص المحمولة الرئيسية الأخرى ، لم تتردد Samsung في تحديد أسعار متضخمة بصراحة على SSD الجديد. تكلف محركات أقراص الحالة الصلبة ذات الميزانية الحديثة مثل Crucial MX100 النصف تقريبًا اليوم. بالطبع ، يتمتع Samsung 850 Pro بضمان لمدة 10 سنوات ، ومورد تسجيل ضخم ، وذاكرة فلاش أبدية تقريبًا ، وبرامج مجمعة ممتازة ، ولكن هل يستحق الأمر دفع مبالغ زائدة؟ مشكوك فيه.

اتضح أن Samsung 850 Pro ليس منتجًا ضخمًا على الإطلاق ، ولكنه عرض النخبة لعشاق لا هوادة فيها يمكن أن يتناسب بشكل جيد مع نظام قائم على Haswell-E ومجهز ببطاقات فيديو مثل GeForce Titan Z ، ولكن ليس أكثر. إذا كنا نتحدث عن مجموعة كاملة من نظام سطح مكتب أو هاتف محمول قياسي إلى حد ما ، فبدلاً من Samsung 850 Pro ، ليس من الصعب اختيار خيارات أكثر جاذبية من حيث نسبة السعر إلى الأداء ، والتي تكون أقل جودة قليلاً في سرعة التشغيل .

نتيجة لذلك ، فإن Samsung 850 Pro هو الأكثر أهمية ليس من الناحية العملية ، ولكن من الناحية التكنولوجية ، لأن هذا هو أول محرك الحالة الصلبة الذي وجدت فيه ذاكرة فلاش ثلاثية الأبعاد تطبيقًا ، والذي يجب أن يصبح حل في كل مكان على مدى السنوات القليلة المقبلة. من الناحية النظرية ، يمكن لمثل هذه الذاكرة أن تزيد بشكل كبير من سرعة العمل وتقلل بشكل كبير من تكلفة SSD ، ولكن حتى الآن ظل كلا هذين الاحتمالين غير محققين. وصل الأداء إلى عرض النطاق الترددي SATA 6Gb / s ، وكان السعر مرتفعًا لأن Samsung 850 Pro مجرد تجريبي. أي أنه لا يزال من الصعب جدًا تقييم V-NAND على أساس قيمته الحقيقية ، لكن Samsung كانت قادرة على ذلك دسيسة لنا... والآن نتطلع إلى ظهور محركات أقراص الحالة الصلبة التالية من هذه الشركة المصنعة ، والتي تم إنشاؤها على نفس الذاكرة ، ولكن على الأقل تم نقلها إلى ناقل PCI Express.