Меню
Бесплатно
Регистрация
Главная  /  Интернет  /  Оперативная память ddr2 характеристики. Как узнать какая оперативная память: DDR, DDR2, DDR3 или DDR4

Оперативная память ddr2 характеристики. Как узнать какая оперативная память: DDR, DDR2, DDR3 или DDR4

Теоретические основы и первые результаты низкоуровневого тестирования

DDR2 — новый стандарт памяти, утвержденный (Joint Electronic Device Engineering Council), в состав которого входят многие производители микросхем и модулей памяти, а также чипсетов. Ранние версии стандарта были опубликованы уже в марте 2003 года, окончательно он был утвержден лишь в январе 2004 года и получил наименование DDR2 SDRAM SPECIFICATION, JESD79-2, ревизия A (). DDR2 основывается на хорошо известной и зарекомендовавшей себя технологии DDR (Double Data Rate). Можно даже сказать так: «DDR2 начинается там, где заканчивается DDR». Другими словами, первые DDR2 будут работать на частотах, являющихся пределом для текущего поколения памяти DDR-400 (стандарт PC3200, тактовая частота 200 МГц), а ее дальнейшие варианты существенно его превзойдут. Первым поколением памяти DDR2, уже производимым в настоящее время такими вендорами, как , и , являются ее разновидности DDR2-400 и DDR2-533, работающие на частотах 200 МГц и 266 МГц, соответственно. Далее ожидается появление нового поколения модулей DDR2-667 и DDR2-800, хотя отмечается, что они вообще вряд ли появятся и, тем более, получат широкое распространение даже к концу этого года.

Справедливости ради стоит заметить, что память типа DDR2, как таковая, появилась уже довольно давно — конечно же, имеется в виду память на видеокартах. Тем не менее, эта разновидность DDR2 (называемая GDDR2), на самом деле, является особым типом памяти, разработанным специально для рынка видеокарт и слегка отличающимся от «десктопного» варианта DDR2, которому и посвящен настоящий обзор. Общая информация

Итак, «десктопная» DDR2-SDRAM рассматривается как эволюционная замена текущего поколения памяти — DDR. Принцип ее функционирования абсолютно тот же — передача данных (на уровне модуля памяти) осуществляется по 64-разрядной шине по обеим частям синхросигнала (восходящему — «фронту», и нисходящему — «срезу»), что обеспечивает удвоенную эффективную скорость передачи данных по отношению к ее частоте. Разумеется, при этом в DDR2 реализован ряд нововведений, которые позволяют осуществить скачок к гораздо более высоким частотам (а, следовательно, большей пропускной способности) и большим емкостям массивов микросхем, с одной стороны, и уменьшенному энергопотреблению модулей, - с другой. За счет чего это достигается, мы увидим позже, а пока обратимся к «макроскопическим» фактам. Модули памяти типа DDR2 производятся в новом форм-факторе, в виде 240-контактных модулей DIMM, электрически не совместимых со слотами для модулей памяти типа DDR (по количеству выводов, расстоянию между выводами и цоколевке модулей). Таким образом, стандарт DDR2 не предусматривает обратной совместимости с DDR.

В представленной ниже таблице приведены утвержденные соглашения о наименованиях и спецификации первых трех стандартов DDR2. Легко заметить, что DDR2-400 характеризуется такой же пропускной способностью, как и ныне существующий тип памяти DDR-400.

Первые модули памяти DDR2 будут поставляться в вариантах 256 МБ, 512 МБ и 1 ГБ. Тем не менее, стандарт предусматривает возможность построения модулей существенно большей емкости — вплоть до 4 ГБ, которые, однако, являются специализированными модулями (не совместимыми с десктопными вариантами, по крайней мере, на данный момент). В дальнейшем ожидается появление модулей, обладающих еще большей емкостью.

Чипы DDR2 будут изготавливаться с использованием упаковки типа FBGA (Fine Ball Grid Array), более компактной, чем традиционный вариант TSOP-II, позволяющей достичь больших емкостей микросхем при меньшем размере и улучшенных электрических и термических характеристиках. Такой метод упаковки уже используется некоторыми производителями DDR в качестве варианта, но является рекомендованным к использованию с точки зрения стандарта JEDEC.

Потребляемое модулями DDR2 напряжение, согласно стандарту — 1.8 V, что значительно меньше по сравнению с напряжением питания устройств DDR (2.5 V). Вполне ожидаемым (хотя и не столь очевидным) следствием этого факта является уменьшение энергопотребления, что важно для производителей, как ноутбуков, так и крупных рабочих станций и серверов, где проблема рассеиваемой модулями памяти мощности занимает далеко не последнее место. DDR2 изнутри

Стандарт DDR2 включает в себя несколько важных изменений спецификации DDR, связанных с передачей данных, которые позволяют достигать более высоких частот при более низкой потребляемой мощности. Как именно достигается снижение рассеиваемой мощности при одновременном увеличении скорости модулей, мы рассмотрим прямо сейчас.

Выборка данных

Главным изменением в DDR2 является возможность выборки сразу 4 бит данных за такт (4n-prefetch), в противоположность 2-битной выборке (2n-prefetch), реализованной в DDR. По существу, это означает, что на каждом такте шины памяти DDR2 осуществляет пересылку 4 бит информации из логических (внутренних) банков микросхемы памяти в буферы ввода-вывода по одной линии интерфейса данных, тогда как обычная DDR способна переслать лишь 2 бита за такт на линию. Довольно закономерно возникает вопрос — если это так, то почему же тогда эффективная пропускная способность DDR2-400 оказывается такой же, как и у обычной DDR-400 (3.2 ГБ/с), а не удвоенной?

Для ответа на этот вопрос сначала рассмотрим, как работает обычная память типа DDR-400. В этом случае, как ядро памяти, так и буферы ввода-вывода функционируют на частоте 200 МГц, а «эффективная» частота внешней шины данных, благодаря технологии DDR, равна 400 МГц. По правилу 2n-prefetch, на каждом такте памяти (200 МГц) по каждой линии интерфейса данных в буфер ввода-вывода поступает 2 бита информации. Задачей этого буфера является мультиплексирование/демультиплексирование (MUX/DEMUX) потока данных — по-простому, «перегонка» узкого высокоскоростного потока в широкий низкоскоростной, и наоборот. Поскольку в микросхеме памяти типа DDR SDRAM логические банки имеют ширину шины данных, соединяющую их и усилитель уровня, в два раза шире, чем от защелок на чтение до внешнего интерфейса, буфер данных включает в себя мультиплексор типа 2-1. В общем случае, поскольку микросхемы памяти, в отличие от модулей, могут иметь разную ширину шины данных — обычно это x4/x8/x16/x32, применение такой схемы MUX/DEMUX (2-1), реализованной в DDR, означает, что внутренний поток данных шириной X и частотой передачи Y от массива преобразуется во внешний поток шириной X/2 и частотой 2Y. Это называется балансом по пиковой пропускной способности.

Рассмотрим теперь схему функционирования устройства микросхемы памяти типа DDR2 SDRAM, равночастотной и «равноширокой» (т.е. одинаковой ширины шины данных) относительно микросхемы DDR модуля памяти DDR-400. Прежде всего, отметим, что ширина внешней шины данных осталась абсолютно такой же — 1 бит/линию, как и ее эффективная частота (в рассматриваемом примере — 400 МГц). Собственно, этого уже достаточно для ответа на поставленный выше вопрос — почему теоретическая ПСП равночастотных модулей памяти типа DDR2 и DDR равны между собой. Далее, очевидно, что использование мультиплексора типа 2-1, применяемого в DDR SDRAM, в случае DDR2 SDRAM, осуществляющей выборку данных по правилу 4n-prefetch, уже не подходит. Вместо этого требуется введение более сложной схемы с дополнительной ступенью преобразования — мультиплексора типа 4-1. Это означает, что выход ядра стал шире в четыре раза внешнего интерфейса микросхемы и во столько же раз ниже по частоте функционирования. То есть, по аналогии с рассмотренным выше примером, в общем случае схема MUX/DEMUX 4-1 осуществляет преобразование внутреннего потока данных шириной X и частотой передачи Y от массива во внешний поток шириной X/4 и частотой 4Y.

Поскольку в этом случае ядро микросхем памяти синхронизируется на частоте, вдвое меньшей по отношению к внешней (100 МГц), тогда как в DDR синхронизация внутреннего и внешнего потока данных происходят на одной частоте (200 МГц), среди преимуществ такого подхода отмечается увеличение процента выхода годных чипов и снижение энергопотребления модулей. Кстати, это также позволяет объяснить, почему стандарт DDR2 предполагает существование модулей памяти с «эффективной» частотой 800 МГц — что вдвое выше, чем у текущего поколения памяти типа DDR. Ведь именно такой «эффективной» частоты DDR2 можно достичь уже сейчас, имея чипы памяти DDR-400, работающие на собственной частоте 200 МГц, если осуществлять выборку данных по правилу 4n-prefetch по схеме, рассмотренной выше.

Таким образом, DDR2 означает отказ от экстенсивного пути развития чипов памяти — в смысле, простого дальнейшего увеличения их частоты, которое существенно затрудняет производство стабильно работающих модулей памяти в большом количестве. На смену ему выдвигается интенсивный путь развития, связанный с расширением внутренней шины данных (что является обязательным и неизбежным решением при использовании более сложного мультиплексирования). Рискнем предположить, что в будущем вполне можно ожидать появление памяти типа «DDR4», осуществляющей выборку уже не 4-х, а сразу 8 бит данных из чипов памяти (по правилу 8n-prefetch, с использованием мультиплексора типа 8-1), и работающих на частоте уже не в 2, а в 4 раза меньшей по отношению к частоте буфера ввода-вывода:). Собственно, ничего нового в таком подходе нет — подобное уже встречалось в микросхемах памяти типа Rambus DRAM . Тем не менее, нетрудно догадаться, что оборотной стороной такого пути развития является усложнение устройства MUX/DEMUX буфера ввода-вывода, который в случае DDR2 должен осуществлять сериализацию четырех бит данных, считываемых параллельно. Прежде всего, это должно сказаться на такой немаловажной характеристике памяти, как ее латентность, что мы и рассмотрим ниже.

Внутричиповое терминирование

Стандарт DDR2 включает в себя и ряд других усовершенствований, улучшающих различные характеристики нового типа памяти, в том числе — электрические. Одним из таких новшеств является внутричиповое терминирование сигнала. Суть его заключается в том, что для устранения излишнего электрического шума (вследствие отражения сигнала от конца линии) на шине памяти для нагрузки линии используются резисторы не на материнской плате (как это было с предыдущими поколениями памяти), а внутри самих чипов. Эти резисторы деактивируются, когда чип находится в работе и, наоборот, активируются, как только микросхема входит в состояние ожидания. Поскольку гашение сигнала теперь осуществляется намного ближе к его источнику, это позволяет устранить электрические помехи внутри чипа памяти при передаче данных.

Кстати, в связи с технологией внутричипового терминирования нельзя не остановиться на таком моменте, как… тепловыделение модуля, на активное снижение которого, в общем-то, в первую очередь и рассчитан новый стандарт DDR2. Действительно, такая схема терминирования сигналов приводит к возникновению значительных статических токов внутри чипов памяти, что ведет к их разогреву. Что ж, это действительно так, хотя заметим, что мощность, потребляемая подсистемой памяти в целом , от этого вовсе не должна расти (просто тепло теперь рассеивается в другом месте). Проблема здесь немного в другом — а именно, в возможности повышения частоты функционирования таких устройств. Весьма вероятно, что именно поэтому первым поколением памяти DDR2 являются модули вовсе не DDR2-800, а лишь DDR2-400 и DDR2-533, для которых тепловыделение внутри чипов пока что остается на приемлемом уровне.

Добавочная задержка

Добавочная задержка (также известная как «отложенная выдача CAS») — еще одно усовершенствование, введенное в стандарт DDR2, которое призвано минимизировать простои планировщика команд при передаче данных из памяти/в память. Чтобы проиллюстрировать это (на примере чтения), рассмотрим для начала чтение данных с чередованием банков (Bank Interleave) из устройства типа DDR2 с добавочной задержкой, равной нулю, что эквивалентно чтению из обычной памяти типа DDR.

На первом этапе происходит открывание банка с помощью команды ACTIVATE вместе с подачей первой составляющей адреса (адреса строки), которая выбирает и активирует необходимый банк и строку в его массиве. В течение следующего цикла информация передается на внутреннюю шину данных и направляется на усилитель уровня. Когда усиленный уровень сигнала достигает необходимого значения (по истечении времени, именуемого задержкой между определением адреса строки и столбца, t RCD (RAS-to-CAS Delay) на исполнение может подаваться команда чтения с автоподзарядкой (READ with Auto-Precharge, RD_AP) совместно с адресом столбца, чтобы выбрать точный адрес данных, которые надо считать с усилителя уровня. После выставления команды чтения выполняется задержка строба выбора столбца — t CL (задержка сигнала CAS, CAS Latency), в течение которой данные, выбранные из усилителя уровня, синхронизируются и передаются на внешние выводы микросхемы. При этом может возникнуть ситуация, когда следующая команда (ACTIVATE) не может быть отправлена на исполнение, поскольку в данный момент времени еще не закончилось исполнение других команд. Так, в рассматриваемом примере, активация 2-го банка должна быть отложена на один такт, поскольку в этот момент уже исполняется команда чтения с автоподзарядкой (RD_AP) из банка 0. В конечном счете, это приводит к разрыву в последовательности выдачи данных по внешней шине, что снижает реальную пропускную способность памяти.

Для устранения подобной ситуации и увеличения эффективности работы планировщика команд в DDR2 вводится понятие добавочной (дополнительной) задержки, t AL . При ненулевом значении t AL устройство памяти отслеживает команды READ (RD_AP) и WRITE (WR_AP), но откладывает их исполнение на время, равное величине добавочной задержки. Различия в поведении микросхемы памяти типа DDR2 с двумя различными величинами t AL приведены на рисунке.

Верхний рисунок описывает режим функционирования микросхемы DDR2 при t AL = 0, что эквивалентно функционированию устройства микросхемы памяти типа DDR; нижний соответствует случаю t AL = t RCD - 1, стандартному для DDR2. При такой конфигурации, как видно из рисунка, команды ACTIVATE и READ могут поступать на исполнение одна за другой. Фактическая реализация команды READ будет отложена на величину добавочной задержки, т.е. реально она будет исполнена в тот же момент, как и на диаграмме сверху.

На следующем рисунке приведен пример считывания данных из микросхемы DDR2 в предположении t RCD = 4 такта, что соответствует t AL = 3 тактам. В этом случае, благодаря введению дополнительной задержки, команды ACTIVATE/RD_AP могут исполняться подряд, в свою очередь, позволяя выдавать данные непрерывным образом и максимизировать реальную пропускную способность памяти.

Задержка выдачи CAS

Как мы видели выше, DDR2, с точки зрения частоты внешней шины, работает на более высоких скоростях, чем DDR SDRAM. В то же время, поскольку новый стандарт не предполагает каких-либо существенных изменений в технологии производства самих чипов, статические задержки на уровне устройства DRAM должны оставаться более-менее постоянными. Типичная величина собственной задержки устройств DRAM типа DDR — 15 нс. Для DDR-266 (со временем цикла 7.5 нс.) это эквивалентно двум тактам, а для DDR2-533 (время цикла — 3.75 нс.) — четырем.

По мере дальнейшего увеличения частот памяти необходимо множить количество поддерживаемых значений задержки выдачи сигнала CAS (в сторону бо льших значений). Определенные стандартом DDR2 величины задержек CAS представлены в таблице. Они находятся в интервале целых чисел от 3 до 5 тактов; использование дробных задержек (кратных 0.5) в новом стандарте не допускается.

Задержки устройства DRAM выражаются размерностью цикла (t CK), т.е. равны произведению времени цикла на выбранное значение задержки CAS (t CL). Типичные значения задержек для устройств типа DDR2 попадают в интервал 12-20 нс., на основании которого и выбирается используемое значение задержки CAS. Использование бо льших величин задержки нецелесообразно из соображений производительности подсистемы памяти, а меньших — ввиду необходимости стабильной работы устройства памяти.

Задержка записи

Стандарт DDR2 также вносит изменения в спецификацию задержки записи (команды WRITE). Различия в поведении команды записи в устройствах DDR и DDR2 представлены на рисунке.

DDR SDRAM имеет задержку записи, равную 1 такту. Это означает, что устройство DRAM приступает к «захвату» информации по шине данных в среднем через один такт после поступления команды WRITE. Тем не менее, учитывая возросшую скорость устройств DDR2, этот промежуток времени оказывается слишком малым для того, чтобы устройство DRAM (а именно, его буфер ввода-вывода) могло успешно подготовиться к «захвату» данных. В связи с этим, стандарт DDR2 определяет задержку записи как задержку выдачи CAS за вычетом 1 такта (t WL = t CL - 1). Отмечается, что привязка задержки WRITE к задержке CAS не только позволяет достичь более высоких частот, но и упрощает синхронизацию команд чтения и записи (настройку таймингов Read-to-Write).

Восстановление после записи

Процедура записи в память типа SDRAM аналогична операции чтения с разницей в дополнительном интервале t WR , характеризующем период восстановления интерфейса после проведения операции (обычно это двухтактная задержка между окончанием выдачи данных на шину и инициированием нового цикла). Этот временной интервал, измеряемый от момента окончания операции записи до момента вхождения в стадию регенерации (Auto Precharge), обеспечивает восстановление интерфейса после проведения операции записи и гарантирует корректность ее выполнения. Отметим, что стандарт DDR2 не вносит изменений в спецификацию периода восстановления после записи.

Таким образом, задержки устройств типа DDR2 в целом можно считать одной из немногих характеристик, по которой новый стандарт проигрывает спецификации DDR. В связи с чем совершенно очевидно, что использование равночастотной DDR2 вряд ли будет иметь какие-либо преимущества в плане скорости по отношению к DDR. Как это обстоит на самом деле — как всегда, покажут результаты соответствующих тестов. Результаты тестирования в RightMark Memory Analyzer

Что ж, самое время теперь перейти к результатам тестирования, полученным в тестовом пакете версии 3.1. Напомним, что главными преимуществами этого теста по отношению к другим доступным тестам памяти является широкая функциональность, открытость методики (тест доступен всем желающим для ознакомления в виде ) и тщательно проработанная документация .

Конфигурации тестовых стендов и ПО

Тестовый стенд №1

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott, Socket 478, FSB 800/HT, 1 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц
  • Материнская плата: ASUS P4C800 Deluxe на чипсете Intel 875P
  • Память: 2x512 МБ PC3200 DDR SDRAM DIMM TwinMOS (тайминги 2.5-3-3-6)

Тестовый стенд №2

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott, Socket 775, FSB 800/HT, 1 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц
  • Материнская плата: Intel D915PCY на чипсете Intel 915
  • Память: 2x512 МБ PC2-4300 DDR2 SDRAM DIMM Samsung (тайминги 4-4-4-8)

Программное обеспечение

  • Windows XP Professional SP1
  • Intel Chipset Installation Utility 5.0.2.1003

Максимальная реальная пропускная способность памяти

Измерение максимальной реальной пропускной способности памяти проводилось с помощью подтеста Memory Bandwidth , пресеты Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, MMX/SSE/SSE2 . Как говорит само название выбранных пресетов, в этой серии измерений используется стандартный метод оптимизации операций чтения из памяти — Software Prefetch, суть которого заключается в предварительной выборке данных, которые будут востребованы позже из оперативной памяти в L2 кэш процессора. Для оптимизации записи в память используется метод прямого сохранения данных (Non-Temporal Store), позволяющий избежать «засорения» кэша. Результаты с использованием регистров MMX, SSE и SSE2 оказались практически идентичными — для примера, ниже приведена картина, полученная на платформе Prescott/DDR2 с использованием SSE2.


Prescott/DDR2, максимальная реальная ПСП

Отметим, что существенных качественных отличий между DDR и DDR2 на равночастотных Prescott в этом тесте не наблюдается. Но более интересно то, что и количественные характеристики ПСП DDR-400 и DDR2-533 оказываются весьма близки! (см. таблицу). И это — несмотря на то, что память типа DDR2-533 имеет максимальную теоретическую ПСП 8.6 ГБ/с (в двухканальном режиме). Собственно, ничего удивительного в полученном результате мы не видим — ведь шина процессора — это по-прежнему 800 МГц Quad-Pumped Bus, а ее пропускная способность — 6.4 ГБ/с, поэтому именно она и является лимитирующим фактором.

Что касается эффективности операций записи, по отношению к чтению — легко увидеть, что она осталась такой же. Впрочем, это вновь выглядит вполне естественно, поскольку в данном случае предел ПСП на запись (2/3 от ПСП на чтение) явно задается микроархитектурными особенностями процессора Prescott.

Латентность памяти

Прежде всего, остановимся несколько подробнее на том, как и почему мы измеряли «истинную» латентность памяти, поскольку ее измерение на платформах Pentium 4 — на самом деле, далеко нетривиальная задача. А связано это с тем, что процессоры этого семейства, в частности, новое ядро Prescott, характеризуются наличием довольно «продвинутого» асинхронного аппаратного префетчера данных, весьма затрудняющего объективные измерения указанной характеристики подсистемы памяти. Очевидно, что использование методов последовательного обхода памяти (прямого либо обратного) для измерения ее латентности в данном случае совершенно не годятся — алгоритм Hardware Prefetch в этом случае работает с максимальной эффективностью, «маскируя» латентности. Использование случайных режимов обхода гораздо более оправдано, однако, истинно случайный обход памяти имеет другой существенный недостаток. Дело в том, что такое измерение выполняется в условиях практически 100% промаха D-TLB, а это вносит существенные дополнительные задержки, о чем мы уже писали . Поэтому единственным возможным вариантом (среди реализованных в RMMA методов) является псевдослучайный режим обхода памяти, при котором загрузка каждой последующей страницы осуществляется линейно (сводя на нет промахи D-TLB), тогда как обход в пределах самой страницы памяти является истинно случайным.

Тем не менее, результаты наших прошлых измерений показали, что даже такая методика измерений довольно сильно занижает значения латентности. Мы считаем, что это связано с еще одной особенностью процессоров Pentium 4, а именно, возможностью «захвата» сразу двух 64-байтных строк из памяти в L2-кэш при каждом обращении к ней. Для демонстрации этого явления на представленном ниже рисунке приведены кривые зависимости латентности двух последовательных обращений к одной и той же строке памяти от смещения второго элемента строки относительно первого, полученные на платформе Prescott/DDR2 с помощью теста D-Cache Arrival , пресет L2 D-Cache Line Size Determination .


Prescott/DDR2, прибытие данных по шине L2-RAM

Из них видно (кривая случайного обхода является наиболее показательной), что доступ ко второму элементу строки не сопровождается какими-либо дополнительными задержками до 60 байт включительно (что отвечает истинному размеру строки L2-кэша, 64 байта). Область 64-124 байт соответствует чтению данных из следующей строки памяти. Поскольку величины латентности в этой области увеличиваются лишь незначительно, это означает, что последующая строка памяти действительно «подкачивается» в L2-кэш процессора сразу вслед за запрашиваемой. Какой же можно сделать из всего этого практический вывод? Самый прямой: для того, чтобы «обмануть» эту особенность алгоритма Hardware Prefetch, работающую во всех случаях обхода памяти, достаточно просто обходить цепочку с шагом, равным так называемой «эффективной» длине строки L2-кэша, которая в нашем случае составляет 128 байт.

Итак, перейдем непосредственно к результатам измерений латентности. Для наглядности, приведем здесь графики разгрузки шины L2-RAM, полученные на платформе Prescott/DDR2.


Prescott/DDR2, латентность памяти, длина строки 64 байта


Prescott/DDR2, латентность памяти, длина строки 128 байт

Как и в случае тестов реальной ПСП, кривые латентности на другой платформе — Prescott/DDR — на качественном уровне выглядят абсолютно так же. Несколько отличаются лишь количественные характеристики. Самое время обратиться к ним.

* латентность в условиях отсутствия разгрузки шины L2-RAM

Нетрудно заметить, что латентность DDR2-533 оказалась выше, чем у DDR-400. Впрочем, ничего сверхъестественного здесь нет — согласно представленным выше теоретическим основам нового стандарта памяти DDR2, именно так оно и должно быть.

Различие в латентности между DDR и DDR2 почти незаметно при стандартном 64-байтном обходе памяти (3 нс. в пользу DDR), когда активно работает аппаратный префетчер, однако, при «двухстрочном» (128-байтном) обходе цепочки оно становится гораздо более заметным. А именно, минимум латентности DDR2 (55.0 нс) равен максимуму латентности DDR; если же сравнивать минимальные и максимальные латентности между собой, различие составляет примерно 7-9 нс (15-16%) в пользу DDR. В то же время, надо сказать, несколько удивляют практически равные значения «средней» латентности, полученные в условиях отсутствия разгрузки шины L2-RAM — причем как в случае 64-байтного обхода (с префетчем данных), так и 128-байтного (без такового). Заключение

Главный вывод, который напрашивается на основании полученных нами результатов первого сравнительного тестирования памяти DDR и DDR2, в общем виде можно сформулировать так: «время DDR2 еще не настало». Основная причина заключается в том, что пока бессмысленно бороться за увеличение теоретической ПСП путем наращивания частоты внешней шины памяти. Ведь шина текущего поколения процессоров по-прежнему функционирует на частоте 800 МГц, что ограничивает реальную пропускную способность подсистемы памяти на уровне 6.4 ГБ/с. А это значит, что в настоящее время нет смысла устанавливать модули памяти, обладающие большей теоретической ПСП, поскольку ныне существующая и широко применяемая память типа DDR-400 в двухканальном режиме полностью себя оправдывает, да и вдобавок имеет меньшую латентность. Кстати, о последней — увеличение частоты внешней шины памяти неизбежно связано с необходимостью введения дополнительных задержек, что, собственно, и подтверждают результаты наших тестов. Таким образом, можно считать, что использование DDR2 оправдает себя, как минимум, не ранее того момента, когда появятся первые процессоры с частотой шины 1066 МГц и выше, что позволит преодолеть ограничение, накладываемое скоростью шины процессора на реальную пропускную способность подсистемы памяти в целом.

Получил вопрос от Александра Шилина:

Народ у меня такой вопрос, а если у меня на матери потолок написано 600+ то 667 планки пойдут? а то с 600 частотой я вообще не видел, видел только 667 и выше.

Если честно, то материнскую плату с поддержкой памяти с рабочей частотой не выше 600МГц найти не удалось, да и оперативная память с частотой 667МГц уже почти пропала из продажи.

А вот материнские платы, у которых в характеристиках заявлена поддержка DDR2 667/533/400, но ни слова не говорится о DDR2 800, найти удалось. Одной из таких плат является ASUS P5LD2 на чипсете Intel 945P.

Чипсет старенький, и, скорее всего, когда компьютер с такой материнской платой собирался, то в него было установлено не более 1Гб памяти, а то и вовсе лишь 512Мб. Однако желания увеличить производительность компьютера путем увеличения объема ОЗУ никто не отменял.

Только вот нет в магазинах памяти с требуемыми характеристиками DDR2 667/533/400, а есть только DDR2 800. Можно ли ее установить? Заработает ли?

Можно.

Чтобы в этом убедиться, запустим программу CPU-Z, которую я уже хвалил, когда писал о том . Только в этот раз откроем закладку SPD.

Вот пример для DDR2 PC2-5300, 667МГц:

DDR2 PC6400, 800МГц:

А вот память, официально промаркированная как DDR2 PC6400, 800МГц, но поддерживающая работу на частоте 1066МГц:

Самой интересной для нас в данном случае является строчка Frequency в разделе Timings Table. Только значение частоты (Frequency) надо умножить на 2, чтобы получить значения, указанные в прайсах и руководствах к мат. платам.

Вообще SPD — это система профилей, зашитый в оперативную память, которая сообщает материнской плате через BIOS, на какой частоте данная планка способна работать.

И тогда видно, что DDR2 PC2-5300, 667МГц может работать не только на частоте 667МГц, но и на 533МГц, и даже 400Мгц.

То же самое можно сказать и про DDR2 PC6400, 800МГц. Отсутствие в табличке упоминания о возможности работы на частоте 667МГц, вызвано, полагаю, экономей места.

Думаю, что и последняя планка заработает даже на частоте 400МГц. Только вот с экономической точки зрения покупать в этом случае очень странно.

Так что покупайте DDR2 PC6400, 800МГц и смело устанавливайте ее на материнскую плату с поддержкой только DDR2 667/533/400. Все прекрасно будет работать и даже более надежно, т.к. у такой планки будет ощутимый запас прочности, вместо работы на пределе. 🙂

комментариев 28

  1. Илья (29 июля 2009, 15:56)

    2. На платы с поддержкой лишь медленной памяти можно устанавливать быструю — просто она работать будет на максимально поддерживаемой мат. платой скорости (т.е. низкой).

  2. (29 июля 2009, 16:01)

    3. Илья, собственно говоря об этом и писал, только для того, чтобы не быть голословным, добавил несколько изображений. 🙂

  3. Антон Молодой (30 июля 2009, 11:30)

    4. >ASUS P5LD2 на чипсете Intel 945P.
    у меня именно такая мать 🙂

    >когда компьютер с такой материнской платой собирался, то в него было установлено не более 1Гб памяти, а то и вовсе лишь 512Мб.
    я, наверное, эбонутый. но у меня 3гб. люблю когда памяти МНОГО.

  4. (30 июля 2009, 13:40)

    5. Антон, гики не в счет. 🙂
    Я имел в виду стандартные конфиги, которые втюхиваются людям.

  5. Игорь (27 августа 2009, 00:56)

    6. В общем один редька запутался я в этой памяти. Ноут поддерживает 533Мгц, стояла дубль банка 512Мб PC4200 работала на 266Мгц. Поставил ентот PC6400 (800) думал будет работать на 533Мгц. А оно отнюдь не так — 399Мгц. Короче «нащёлкал» скринов налепил сюда: http://komp-kompyuterov.narod.ru/index.html Что там к чему? Или всё верно 400х2=800.=)…походу у меня просветление позднее. Тогда зачем дурят народ восмистамимегагерцами?

  6. (27 августа 2009, 07:01)

    7. Игорь, 800 — это, очевидно, при активации двухканального режима: 2 канала по 400МГц в сумме дают 800.

    В случае с ноутбуками все еще хитрее. Вот на этом скриншоте явно видно, что максимальная частота (RAM Max поддержка) — 533МГц. Т.е. в случае с одной планкой — 266МГц.

    Но расстраиваться не стоит. 🙂 2Гб в любом случае много лучше, чем 512Мб, а 800МГц сейчас стоят не дороже, чем 533.

  7. Игорь (28 августа 2009, 09:51)

    8. Ну по крайней мере вопрос с «хапаньем» из подкачки теперь решён. А то бывало тормозило не по детски.:)
    Ну короче не удалось мне вдоволь побаловаться новшеством. С ноутбуком случилось страшное.(матери кровь не проливал но..)К стати в следствие произошедшего при попытке открыть MP3 виндовым MP пишет что «не удалось выполнить операцию из за нехватки памяти».Ну, не издевательство ли?:)А плеер классик открывает нормально. И много чего нехорошего ещё присутствует. Ну это уже относится к проблемам виндовс или безопасности. Может здесь где есть соответствующая тема? Или тут по-оффтопим? Тогда отпшусь по проблеме глобально.

  8. (28 августа 2009, 09:55)
  9. Игорь (30 августа 2009, 04:06)

    10. Ну как говорится раз пошла такая пь…э…разбираловка. 🙂 Сначала итого 1-го эпизода; обьекты (папки, ярлыки и тд) как будто гвоздями прибиты и не перемещались никаким кликом, перестало работать «вставить» контекстного меню (всегда неактивно), в журналах ошибок не кликались эти самые ошибки чтоб посмотреть описание, при заходе в учётные записи пустое окно без выбора чего либо, в диспетчере задач отсутствие себя любимого во вкладке пользователи и вообще потеря прав администратора, частиная или полная хз (сообшение при попытке запуска приложения на диске D), процессов в диспетчере задач вместо +50 осталось 30+, периодические перезагрузки с синим экраном (быстро пролелькивающим, не успеваешь помотреть чего там понаписано), позже удалось выяснить код ошибок
    Код ошибки 10000050, параметр1 8f640cec, параметр2 00000001, параметр3 805b641a, параметр4 00000000.
    Код ошибки 10000050, параметр1 c399ff20, параметр2 00000000, параметр3 bf80dd9b, параметр4 00000000.
    примерно в таком духе, при попытке сканирования на вирусы тоже перезагрузки (собственно с ними и пробовал бороться 3 дня), сообщения о покоцанной файловой системе на С, ну и тд и тп. Главная проблемма была тексты с паролями/логинами изъять. Уже морально был готов к переписыванию в ручную, да вспомнив про диск с windows благополучно воспользовался мастером переноса файлов.(не так плохи мелкомягкие как они есть на самом деле=))) С чего это всё началось уже и не упомню, но точно после того как начал манипуляции с памятью, там ещё помнится было зависание чего-то, скандиск ну и пошло поехало. Пробовал и востановление системы делать- опять ошибка и перезагрузка. (сейчас в паде пишу и после каждого предложения Ctrl+S, потому как регулярно ребутит гадина:(). Всё описанное чёчилось с хоум эдишин, вторая XP(обрезанная которая гейм эдишин) тоже вообще почти не запускалась, жалуясь на покоцанный C. С безопасным режимом тоже толкового ничего не выходило. Помыкавшись я подтянул тяжёлую артиллерию и Acronis True Image Home 11.0 востановил посекторно логический C. Всё вроде стало нормально работать (хотя щас такой сумбур в голове что ничего не могу гарантировать:)) И вторая ось заработала. Обменял память (goodram) думаю мож планка была глючная. Вставил, вроде нормально всё в PC Wizard 2008 даже протестил, чего-то показала как моя старая 4200. Ну да ладно, подключился на DSL да давай закачивать обновки. Образик то акрониса был аж октября 2008, хоть и с почти всеми нужными прогами.Ну и вот я тут сижу напихиваю железного друга…и бац. Опять старая песня. Перезагрузки…мать…давно типа не было. Похожие коды, журнал ошибки приложений уже повреждён. Было зависание чего-то (опять мимо памяти моей:), скандиск почикал там чего-то. Правда в этот раз на диске папки его небыло той где такое 000 в конце.
    Вот я опять вернулся после ребута.:) Какая-то хрень хотела в интернет (он отключен), запретил в комодо. Потом зашёл в него же посмотреть подробнее что это было, кликнул в журнале…окно ошибки и перезагрузка. После сообщение ошибки savedump.exe и теперь там записи этого события нет. Что-то я уж и не знаю что и думать. Мож и вправду вирус какой. Может какой сцука(уже не сдерживаюсь) в MBR прописался? Ну там прописан акронис (востановление при загрузке). Правда запуск его с выбором F11(восстановления) 2-3 раза вчера был, а то и сейчас высвечивает MBR error 2. Мож тут чего и кроется? Короче всё, нет сил. Выкладываю и ложусь спать. Завтра (сегодня уже) снова востановлю аронисом и посмотрю как будет развиваться со старой памятью. ЗЫ К стати и мышку накануне приладил с кнопкой двойного клика…Может тут чего? =)))))) ЗЫЫ Задрало, никак не оторвусь. Опять перегрузило. И опять лез в нет какой-то синхронизатор мелкомягких. Что-то типа этого.ЗЫЫЫ Не мог огнелисом зайти ребутило, плюнул поставил свою оперативку. Вроде какие-то минуты держит.:) Та память такая горячинькая была…хотя ноут ведь.

  10. Игорь (30 августа 2009, 04:09)

    11. Каково я табаню уникальный контент?:) Правда абзацы не поделал…
    Тест глазок получился заодно.:))

  11. (30 августа 2009, 08:33)

    12. Игорь, это уже не похоже на память, особенно, учитывая ее замену.
    Это похоже на:

    1. Вирус. Хорошо бы загрузиться с какого-нибудь Live CD и провериться «Dr.Web CureIt!», благо ему установка не нужна.

    2. Но еще более это похоже на смерь жесткого диска. Проверку опять же лучше запускать с Live CD, но на крайний случай можно и просто виндовую попробовать. И утилиту от производителя HDD поискать.

  12. Игорь (30 августа 2009, 15:49)

    13. 3. И ещё это похоже на полтергейст.:)
    Короче память это, оперативка гудрамовская. Наверное несовместимость какая-то. Сейчас на своей родной Hyundai Electronics, настоящий фирменный кореец, с цивильной проштамповкой работает всё без сбоев уже с утра. Даже с ночи — как установил. И другая система запустилась без проблем- в Perfect World пробежался. Правда повреждения оставшиеся придётся устранять. В первый раз память свою возвращал на гораздо более убитую систему поэтому результата не было видимо.
    Протестировал систему- без сбоев. Остался журнал событий повреж-
    дённый. В Comodo Firewall тоже всё в норме и в его журнале. Доус-
    тановил комп некоторые обновления и после этого появилось раз-
    дражение. msfeedssync.exe ломится в сеть. Firefox использую IE
    вообще не запущен. Какого фига оно лезет ленты новостей проверять
    или что там. Ну а насчёт HDD, у меня здоровье оного 88%, но до кризиса работал нормально на мой взгляд. Может ему ставало плохо
    когда новую память прилаживал? В общем восстановлю каким образом
    ОС, обновлю всю остальную начинку и образ диска в акронисе. Потом мож ещё повтыкаю ентот гудрам, если до того не сдам назад. И надо думать какую память искать или вернее найти хоть что нибудь работающее под мою машину. В той точке только такая в наличии на ноутбуки. А CureIt знаем и пользуем, с тех пор как буквально пол-месяца назадt подхватил «нечто» (Neshta), замахал- ся лечить на двух компах. Сейчас проверял CureIt-ом- всё чисто.
    Правда он всегда ругается на Giljabi.exe из моей lg_swupdate директории. Но думаю тут нормально всё.:)

    ЗЫ Интересно в памяти не может быть вируса уже затаренного до меня? (типа от производителя) :))

  13. Игорь (1 сентября 2009, 19:30)

    14. Хех, в суматохе не была замечена такая деталь как объём памяти
    в одном слоте. Сейчас поставил 1Гб кингстон и пока всё ок. И думаю
    что и дальше будет ок. Теперь стало М1 и М2 а не так как на «PC Wizard 2008 физическая память_2Gb» скриншоте. С ещё одним «М1» Да
    и припоминаю что у меня поддерживат 2Гб, 1Гбх2. Т.е. в двух слотах.
    Осталось при случае поставить ещё одну в «дно» и вуаля- двухканаль-
    ная. Ну а потрапившие сюда по сабжу теперь будут знать какие ужасы
    могут последовать после казалось бы рутинной операции.

  14. Сергей (18 ноября 2009, 20:50)

    15. Здравствуйте, Владимир! Буду рад услышать ваш совет.
    Стоит планка памяти DDR1 3200, 512 Мб. Что лучше, установить еще одну планку с такими же характеристиками (DDR1 3200, 512 Мб) или планку на 1 Гб (чтобы получилось 1,5 Гб)? Кстати материнская плата (Foxconn P4M800P7MA-RS2) имеет 2 слота для DDR1 и два слота для DDR2. Имеет ли смысл устанавливать DDR2?

  15. (18 ноября 2009, 20:57)

    16. Сергей, лучше установить еще 1Гб и получить в итоге 1.5Гб.
    Разницы между DDR1 и DDR2 Вы скорее всего не заметите, а устанавливать одновременно оба типа памяти в большинстве случаев нельзя.

  16. Сергей (19 ноября 2009, 21:14)

    17. Спасибо. А какова вероятность, что новая планка 1Гб сработается со старой 512Мб? Я слышал, что лучше срабатываются друг с другом одинаковые по параметрам планки, плюс к тому же двойной канал.

  17. Игорь (24 ноября 2009, 16:58)

    18. Им абсолютно ничего не мешает сработаться если мать поддерживает такое колличество и в таких слотах. Память нужно наращивать под работающие приложения. Существенной разницы не будет между 1,5 и 2 Гб если при работе самого ёмкого расходуется например 1Гб. Разница будет если стоит 1Гб а при работающей проге берётся 1,5 Гб, т.е. «хапается» из подкачки и соответственно тормозит из за доступа к HDD. Смотреть: диспетчер задач->быстродействие->пик. Сколько при вашем работающем любимом тяжёлом он составляет сколько оперативки и надо.=)Двухканалка даёт прирост менее 10% если не путаю, что не суть как важно при вышеописанном. Ну это как говорится моё имхо, хотя рулит на нуболевелах юзеров.=)

  18. Сергей (25 февраля 2010, 00:57)
    19. 2. А вот тут сложнее. Есть вероятность, что производитель перестраховался. Или во время разработки материнской платы и написания документации просто не было возможности установить больше 4Гб памяти. Например, были модули только по 1Гб. И тогда может заработать и больше 4Гб.
    Но, может быть, у производителя были какие-то технические проблемы, из-за которых объем и был ограничен.
    Либо ищите отзывы о Вашей мат. плате по всему интернету, либо пробуйте. 🙂
  19. Артём (15 сентября 2010, 12:51)

    20. мат. плата моя как раз из той серии, что упоминается в этой статье Asus soket 775 P5LD2 SE. спасибо, Владимир)попробую.

  20. Антон (31 января 2013, 14:05)

    21. Здравствуйте, вопрос следующего характера:
    Материнка ASUS P5LD2 в ее описание написано что максимально можно установить память оперативную с частотой 667МГц, но я купил 2 планки по 2ГБ и частотой 800МГц, установил работа компьютера мне очень сильно понравилась т.к. раньше стоял 1Гб ОП.
    Но после этого стало пропадать место на жестком диске, а именно на диске «С» (на нем стоит виндовс ХР)
    Может ли это быть из-за ограничения Материнской платы?
    Или же я поймал какойто вирус? т.к. на данный момент касперский без лицензии ну тобишь не оплачен=не работает.

  21. (31 января 2013, 14:09)

    22. Антон, много места пропало?
    У Windows есть файл подкачки, он иногда может зависеть от размера оперативной памяти.
    Есть режим сна, когда все содержимое оперативной памяти сохраняется на жесткий диск — и система резервирует объем равный объему памяти всегда. Можно его отключить и место вернется.

    А может быть и просто какое-то совпадение.

  22. Vas! (19 мая 2013, 19:34)

    23. Доброго! Не подскажете ли: матплата Асус поддерживает память до 800 мгц, сейчас стоит 2 по 512 на 533 скорости (pc-4300). Можно ли расширить доставив 1 или 2 гб но 800й памяти т.к. зс-4300 купить негде. Заведется ли такая комбинация из 2х512мб на 533 и 1 или 2 гб на 800??? Спасибо.

  23. Opana (23 октября 2015, 15:43)

    24. Здравствуйте, у меня на мамке стоят слоты для DDR3 и DDR4, можно ли воткнуть к 8Gb*2 DDR4@3200MHz ещё 8Gb*2 DDR3@2133MHz

  24. Tony (27 марта 2017, 16:29)

    25. У меня вопрос, а будет ли это работать в ноутбуке Toshiba Satelit A 215? Там точно частота будет 667 герц у 800 герцовой планки, и есть ли риск что не заведётся вовсе? И вообще, туда можно впихнуть больше 4 гигов ОЗУ? Или там 4, — максимум?

  25. Гость (2 июля 2018, 10:22)

    26. Ха, P5RD2-VM не стартует с 800-й памятью (официально как раз потолок 667). Но у неё найден костыль — если воткнуть вместе одну 667, а другую 800, то всё работает.

  26. Вадим (10 октября 2018, 12:08)

    27. asrock 945gcm-s не поддерживает память 800 Мгц

История оперативной памяти , или ОЗУ , началась в далёком 1834 году, когда Чарльз Беббидж разработал «аналитическую машину» - по сути, прообраз компьютера. Часть этой машины, которая отвечала за хранение промежуточных данных, он назвал «складом». Запоминание информации там было организовано ещё чисто механическим способом, посредством валов и шестерней.

В первых поколениях ЭВМ в качестве ОЗУ использовались электронно-лучевые трубки, магнитные барабаны, позже появились магнитные сердечники, и уже после них, в третьем поколении ЭВМ появилась память на микросхемах.

Сейчас ОЗУ выполняется по технологии DRAM в форм-факторах DIMM и SO-DIMM , это динамическая память, организованная в виде интегральных схем полупроводников. Она энергозависима, то есть данные исчезают при отсутствии питания.

Выбор оперативной памяти не является сложной задачей на сегодняшний день, главное здесь разобраться в типах памяти, её назначении и основных характеристиках.

Типы памяти

SO-DIMM

Память форм-фактора SO-DIMM предназначена для использования в ноутбуках, компактных ITX-системах, моноблоках - словом там, где важен минимальный физический размер модулей памяти. Отличается от форм-фактора DIMM уменьшенной примерно в 2 раза длиной модуля, и меньшим количеством контактов на плате (204 и 360 контактов у SO-DIMM DDR3 и DDR4 против 240 и 288 на платах тех же типов DIMM-памяти).
По остальным характеристикам - частоте, таймингам, объёму, модули SO-DIMM могут быть любыми, и ничем принципиальным от DIMM не отличаются.

DIMM

DIMM - оперативная память для полноразмерных компьютеров.
Тип памяти, который вы выберете, в первую очередь должен быть совместим с разъёмом на материнской плате. ОЗУ для компьютера делится на 4 типа – DDR , DDR2 , DDR3 и DDR4 .

Память типа DDR появилась в 2001 году, и имела 184 контакта. Напряжение питания составляло от 2.2 до 2.4 В. Частота работы – 400МГц . До сих пор встречается в продаже, правда, выбор невелик. На сегодняшний день формат устарел, - подойдёт, только если вы не хотите обновлять систему полностью, а в старой материнской плате разъёмы только под DDR.

Стандарт DDR2 вышел уже в 2003-ем, получил 240 контактов, которые увеличили число потоков, прилично ускорив шину передачи данных процессору. Частота работы DDR2 могла составлять до 800 МГц (в отдельных случаях – до 1066 МГц), а напряжение питания от 1.8 до 2.1 В – чуть меньше, чем у DDR. Следовательно, понизились энергопотребление и тепловыделение памяти.
Отличия DDR2 от DDR:

· 240 контактов против 120
· Новый слот, несовместимый с DDR
· Меньшее энергопотребление
· Улучшенная конструкция, лучшее охлаждение
· Выше максимальная рабочая частота

Также, как и DDR, устаревший тип памяти - сейчас подойдёт разве что под старые материнские платы, в остальных случаях покупать нет смысла, так как новые DDR3 и DDR4 быстрее.

В 2007 году ОЗУ обновились типом DDR3 , который до сих пор массово распространён. Остались всё те же 240 контактов, но слот подключения для DDR3 стал другим – совместимости с DDR2 нет. Частота работы модулей в среднем от 1333 до 1866 МГц . Встречаются также модули с частотой вплоть до 2800 МГц .
DDR3 отличается от DDR2:

· Слоты DDR2 и DDR3 несовместимы.
· Тактовая частота работы DDR3 выше в 2 раза – 1600 МГц против 800 МГц у DDR2.
· Отличается сниженным напряжением питания – порядка 1.5В, и меньшим энергопотреблением (в версии DDR3L это значение в среднем ещё ниже, около 1.35 В).
· Задержки (тайминги) DDR3 больше, чем у DDR2, но рабочая частота выше. В целом скорость работы DDR3 на 20-30% выше.

DDR3 - на сегодня хороший выбор. Во многих материнских платах в продаже разъёмы под память именно DDR3, и в связи с массовой популярностью этого типа, вряд ли он скоро исчезнет. Также он немного дешевле DDR4.

DDR4 – новый тип ОЗУ, разработанный только в 2012 году. Является эволюционным развитием предыдущих типов. Пропускная способность памяти снова повысилась, теперь достигая 25,6 Гб/с. Частота работы также поднялась – в среднем от 2133 МГц до 3600 МГц . Если же сравнивать новый тип с DDR3, который продержался на рынке целых 8 лет и получил массовое распространение, то прирост производительности незначителен, к тому же далеко не все материнские платы и процессоры поддерживают новый тип.
Отличия DDR4:

· Несовместимость с предыдущими типами
· Пониженно напряжение питания – от 1.2 до 1.05 В, энергопотребление тоже снизилось
· Рабочая частота памяти до 3200 МГц (может достигать 4166 МГц в некоторых планках), при этом, конечно, выросшие пропорционально тайминги
· Может незначительно превосходить по скорости работы DDR3

Если у вас уже стоят планки DDR3, то торопиться менять их на DDR4 нет никакого смысла. Когда этот формат распространится массово, и все материнские платы уже будут поддерживать DDR4, переход на новый тип произойдёт сам собой с обновлением всей системы. Таким образом, можно подытожить, что DDR4 – скорее маркетинг, чем реально новый тип ОЗУ.

Какую частоту памяти выбрать?

Выбор частоты нужно начинать с проверки максимально поддерживаемых частот вашим процессором и материнской платой. Частоту выше поддерживаемой процессором имеет смысл брать только при разгоне процессора.

На сегодняшний день не стоит выбирать память с частотой ниже 1600 МГц. Вариант 1333 МГц допустим в случае DDR3, если это не завалявшиеся у продавца древние модули, которые явно будут медленнее новых.

Оптимальный вариант на сегодня - это память с интервалом частот от 1600 до 2400 МГц . Частота выше почти не имеет преимущества, но стоит гораздо дороже, и как правило является разогнанными модулями с поднятыми таймингами. Для примера, разница между модулями в 1600 и 2133 Мгц в ряде рабочих программ будет не более 5-8 %, в играх разница может быть ещё меньше. Частоты в 2133-2400 Мгц стоит брать, если вы занимаетесь кодированием видео/аудио, рендерингом.

Разница же между частотами в 2400 и 3600 Мгц обойдётся вам довольно дорого, при этом не прибавив ощутимо скорости.

Какой объём оперативной памяти брать?

Объём, который вам понадобится, зависит от типа работы, производимой на компьютере, от установленной операционной системы, от используемых программ. Также не стоит упускать из виду максимально поддерживаемый объём памяти вашей материнской платой.

Объём 2 ГБ - на сегодняшний день, может хватить разве что только для просмотра интернета. Больше половину будет съедать операционная система, оставшегося хватит на неторопливую работу нетребовательных программ.

Объём 4 ГБ – подойдёт для компьютера средней руки, для домашнего пк-медиацентра. Хватит, чтобы смотреть фильмы, и даже поиграть в нетребовательные игры. Современные – увы, с потянет с трудом. (Станет лучшим выбором, если у вас 32-разрядная операционная система Windows, которая видит не больше 3 ГБ оперативной памяти)

Объём 8 ГБ (или комплект 2х4ГБ) – рекомендуемый объём на сегодня для полноценного ПК. Этого хватит для почти любых игр, для работы с любым требовательным к ресурсам софтом. Лучший выбор для универсального компьютера.

Объём 16 ГБ (или наборы 2х8ГБ , 4х4ГБ)- будет оправданным, если вы работаете с графикой, тяжёлыми средами программирования, или постоянно рендерите видео. Также отлично подойдёт для ведения онлайн-стримов – здесь с 8 ГБ могут быть подвисания, особенно при высоком качестве видео-трансляции. Некоторые игры в высоких разрешениях и с HD-текстурами могут лучше себя вести с 16 ГБ оперативной памяти на борту.

Объём 32 ГБ (набор 2х16ГБ , или 4х8ГБ)– пока очень спорный выбор, пригодится для каких-то совсем экстремальных рабочих задач. Лучше будет потратить деньги на другие комплектующие компьютера, это сильнее отразится на его быстродействии.

Режимы работы: лучше 1 планка памяти или 2?

ОЗУ может работать в одно-канальном, двух-, трёх- и четырёх-канальном режимах. Однозначно, если на вашей материнской плате есть достаточное количество слотов, то лучше взять вместо одной планки памяти несколько одинаковых меньшего объёма. Скорость доступа к ним вырастет от 2 до 4 раз.

Чтобы память работала в двухканальном режиме, нужно устанавливать планки в слоты одного цвета на материнской плате. Как правило, цвет повторяется через разъём. Важно при этом, чтобы частота памяти в двух планках была одинаковой.

- Single chanell Mode – одноканальный режим работы. Включается, когда установлена одна планка памяти, или разные модули, работающие на разной частоте. В итоге память работает на частоте самой медленной планки.
- Dual Mode – двухканальный режим. Работает только с модулями памяти одинаковой частоты, увеличивает скорость работы в 2 раза. Производители выпускают специально для этого комплекты модулей памяти , в которых может быть 2 или 4 одинаковых планки.
- Triple Mode – работает по тому же принципу, что и двух-канальный. На практике не всегда быстрее.
- Quad Mode - четырёх-канальный режим, который работает по принципу двухканального, соответственно увеличивая скорость работы в 4 раза. Используется, там где нужна исключительно высокая скорость - например, в серверах.

- Flex Mode – более гибкий вариант двухканального режима работы, когда планки разного объёма, а одинаковая только частота. При этом в двухканальном режиме будут использоваться одинаковые объёмы модулей, а оставшийся объём будет функционировать в одноканальном.

Нужен ли памяти радиатор?

Сейчас уже давно не те времена, когда при напряжении в 2 В достигалась частота работы в 1600 МГц, и в результате выделялось много тепла, которое надо было как-то отводить. Тогда радиатор мог быть критерием выживаемости разогнанного модуля.

В настоящее время же энергопотребление памяти сильно снизилось, и радиатор на модуле может быть оправдан с технической точки зрения, только если вы увлекаетесь оверклокингом, и модуль будет работать у вас на запредельных для него частотах. Во всех остальных случаях радиаторы можно оправдать, разве что, красивым дизайном.

В случае, если радиатор массивный, и заметно увеличивает высоту планки памяти – это уже существенный минус, поскольку он может помешать вам поставить в систему процессорный суперкулер. Существуют, кстати, специальные низкопрофильные модули памяти , предназначенные для установки в компактные корпуса. Они несколько дороже модулей обычного размера.



Что такое тайминги?

Тайминги , или латентность (latency) – одна из самых важных характеристик оперативной памяти, определяющих её быстродействие. Обрисуем общий смысл этого параметра.

Упрощённо оперативную память можно представить, как двумерную таблицу, в которой каждая ячейка несёт информацию. Доступ к ячейкам происходит по указанию номера столбца и строки, и указание это происходит при помощи стробирующего импульса доступа к строке RAS (Row Access Strobe ) и стробирующего импульса доступа к столбцу CAS (Acess Strobe ) путём изменения напряжения. Таким образом, за каждый такт работы происходят обращения RAS и CAS , и между этими обращениями и командами записи/чтения существуют определённые задержки, которые и называются таймингами.

В описании модуля оперативной памяти можно увидеть пять таймингов, которые для удобства записываются последовательностью цифр через дефис, например 8-9-9-20-27 .

· tRCD (time of RAS to CAS Delay) - тайминг, который определяет задержку от импульса RAS до CAS
· CL (timе of CAS Latency) - тайминг, определяющий задержку между командой о записи/чтении и импульсом CAS
· tRP (timе of Row Precharge) - тайминг, определяющий задержку при переходах от одной строки к следующей
· tRAS (time of Active to Precharge Delay) - тайминг, который определяет задержку между активацией строки и окончанием работы с ней; считается основным значением
· Command rate – определяет задержку между командой выбора отдельного чипа на модуле до команды активации строки; этот тайминг указывают не всегда.

Если говорить ещё проще, то о таймингах важно знать только одно – чем их значения меньше, тем лучше. При этом планки могут иметь одинаковую частоту работы, но разные тайминги, и модуль с меньшими значениями всегда будет быстрее. Так что стоит выбирать минимальные тайминги, для DDR4 ориентиром средних значений будут тайминги 15-15-15-36, для DDR3 - 10-10-10-30. Также стоит помнить, что тайминги связаны с частотой памяти, так что при разгоне скорее всего придётся поднять и тайминги, и наоборот - можно вручную опустить частоту, снизив при этом тайминги. Выгоднее всего обращать внимание на совокупность этих параметров, выбирая скорее баланс, и не гнаться за крайними значениями параметров.

Как определиться с бюджетом?

Располагая большей суммой, вы сможете позволить себе больший объём оперативной памяти. Основное отличие дешёвых и дорогих модулей будет в таймингах, частоте работы, и в бренде – известные, разрекламированные могут стоить немного дороже noname модулей непонятного производителя.
Кроме того, дополнительных денег стоит радиатор, установленный на модули. Далеко не всем планкам он нужен, но производители сейчас на них не скупятся.

Цена будет также зависеть от таймингов, чем они ниже- тем выше скорость, и соответственно, цена.

Итак, имея до 2000 рублей , вы сможете приобрести модуль памяти объёмом 4 ГБ, или 2 модуля по 2 ГБ, что предпочтительнее. Выбирайте в зависимости от того, что позволяет конфигурация вашего пк. Модули типа DDR3 обойдутся почти вдвое дешевле чем DDR4. При таком бюджете разумнее брать именно DDR3.

В группу до 4000 рублей входят модули объёмом в 8 ГБ, а также наборы 2х4 ГБ. Это оптимальный выбор для любых задач, кроме профессиональной работы с видео, и в любых других тяжёлых средах.

В сумму до 8000 рублей обойдётся объём памяти в 16 ГБ. Рекомендуется для профессиональных целей, или для заядлых геймеров - хватит даже про запас, в ожидании новых требовательных игр.

Если не проблема потратить до 13000 рублей , то самым лучшим выбором будет вложить их в набор из 4 планок по 4 ГБ. За эти деньги можно выбрать даже радиаторы покрасивее, возможно для последующего разгона.

Больше 16 ГБ без цели работы в профессиональных тяжёлых средах (да и то не во всех) брать не советую, но если очень хочется, то за сумму от 13000 рублей вы сможете залезть на Олимп, приобретя комплект на 32 ГБ или даже 64 ГБ . Правда, смысла для рядового пользователя или геймера в этом будет не много – лучше потратить средства, скажем, на флагманскую видеокарту.

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM - DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

    • 72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) - используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

    • 100-pin DIMM - используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

    • 144-pin SO-DIMM - используется для SDR SDRAM (Single Data Rate …) в портативних компьютерах

    • 168-pin DIMM - используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах

    • 172-pin MicroDIMM - используется для DDR SDRAM (Double date rate)

    • 184-pin DIMM - используется для DDR SDRAM

    • 200-pin SO-DIMM - используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM



    • 214-pin MicroDIMM - используется для DDR2 SDRAM

    • 204-pin SO-DIMM - используется для DDR3 SDRAM

    • 240-pin DIMM - используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM





    • 244-pin Mini-DIMM – для Mini Registered DIMM

    • 256-pin SO-DIMM - используется для DDR4 SDRAM

    • 284-pin DIMM - используется для DDR4 SDRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей - не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

DDR2 SDRAM

Название стандарта Тип памяти Частота памяти Частота шины Передача данных в секунду (MT/s)
PC2-3200 DDR2-400 100 МГц 200 МГц 400 3200 МБ/с
PC2-4200 DDR2-533 133 МГц 266 МГц 533 4200 МБ/с
PC2-5300 DDR2-667 166 МГц 333 МГц 667 5300 МБ/с
PC2-5400 DDR2-675 168 МГц 337 МГц 675 5400 МБ/с
PC2-5600 DDR2-700 175 МГц 350 МГц 700 5600 МБ/с
PC2-5700 DDR2-711 177 МГц 355 МГц 711 5700 МБ/с
PC2-6000 DDR2-750 187 МГц 375 МГц 750 6000 МБ/с
PC2-6400 DDR2-800 200 МГц 400 МГц 800 6400 МБ/с
PC2-7100 DDR2-888 222 МГц 444 МГц 888 7100 МБ/с
PC2-7200 DDR2-900 225 МГц 450 МГц 900 7200 МБ/с
PC2-8000 DDR2-1000 250 МГц 500 МГц 1000 8000 МБ/с
PC2-8500 DDR2-1066 266 МГц 533 МГц 1066 8500 МБ/с
PC2-9200 DDR2-1150 287 МГц 575 МГц 1150 9200 МБ/с
PC2-9600 DDR2-1200 300 МГц 600 МГц 1200 9600 МБ/с

DDR3 SDRAM

Название стандарта Тип памяти Частота памяти Частота шины Передач данных в секунду(MT/s) Пиковая скорость передачи данных
PC3-6400 DDR3-800 100 МГц 400 МГц 800 6400 МБ/с
PC3-8500 DDR3-1066 133 МГц 533 МГц 1066 8533 МБ/с
PC3-10600 DDR3-1333 166 МГц 667 МГц 1333 10667 МБ/с
PC3-12800 DDR3-1600 200 МГц 800 МГц 1600 12800 МБ/с
PC3-14400 DDR3-1800 225 МГц 900 МГц 1800 14400 МБ/с
PC3-16000 DDR3-2000 250 МГц 1000 МГц 2000 16000 МБ/с
PC3-17000 DDR3-2133 266 МГц 1066 МГц 2133 17066 МБ/с
PC3-19200 DDR3-2400 300 МГц 1200 МГц 2400 19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность = Частота шины x ширину канала x кол-во каналов

Для всех DDR — количество каналов = 2 и ширина равна 64 бита.
Например, при использовании памяти DDR2-800 с частотой шины 400 МГц пропускная способность будет:

(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) — номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

  • Kingston KVR800D2N6/1G
  • OCZ OCZ2M8001G
  • Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.

Kingston Part Number Description
KVR1333D3D4R9SK2/16G 16GB 1333MHz DDR3 ECC Reg CL9 DIMM (Kit of 2) DR x4 w/TS

Сейчас актуальным стандартом оперативной памяти является DDR4, но в использовании все еще находится множество компьютеров с DDR3, DDR2 и даже DDR. Из-за такого оперативной памяти многие пользователи путаются и забывают какая именно оперативная память используется на их компьютере. Решению этой проблемы и будет посвящена данная статья. Здесь мы расскажем, как узнать какая оперативная память используется на компьютере DDR, DDR2, DDR3 или DDR4.

Если у вас есть возможность открыть компьютер и осмотреть его комплектующие, то всю необходимую информацию вы можете получить с наклейки на модуле оперативной памяти.

Обычно на наклейке можно найти надпись с названием модуля памяти. Это название начинается с букв «PC» после которых идут цифры, и оно указывает на тип данного модуля оперативной памяти и его пропускную способность в мегабайтах за секунду (МБ/с).

Например, если на модуле памяти написано PC1600 или PC-1600, то это модуль DDR первого поколения с пропускной способностью в 1600 МБ/с. Если на модуле написано PC2‑ 3200, то это DDR2 с пропускной способностью в 3200 МБ/с. Если PC3 – то это DDR3 и так далее. В общем, первая цифра после букв PC указывает на поколение DDR, если этой цифры нет, то это простой DDR первого поколения.

В некоторых случаях на модулях оперативной памяти указывается не название модуля, а тип оперативной памяти и его эффективная частота. Например, на модуле может быть написано DDR3 1600. Это означает что это модуль DDR3 c эффективной частотой памяти 1600 МГц.

Для того чтобы соотносить названия модулей с типом оперативной памяти, а пропускную способность с эффективной частотой можно использовать таблицу, которую мы приводим ниже.

Название модуля Тип оперативной памяти
PC-1600 DDR-200
PC-2100 DDR-266
PC-2400 DDR-300
PC-2700 DDR-333
PC-3200 DDR-400
PC-3500 DDR-433
PC-3700 DDR-466
PC-4000 DDR-500
PC-4200 DDR-533
PC-5600 DDR-700
PC2-3200 DDR2-400
PC2-4200 DDR2-533
PC2-5300 DDR2-667
PC2-5400 DDR2-675
PC2-5600 DDR2-700
PC2-5700 DDR2-711
PC2-6000 DDR2-750
PC2-6400 DDR2-800
PC2-7100 DDR2-888
PC2-7200 DDR2-900
PC2-8000 DDR2-1000
PC2-8500 DDR2-1066
PC2-9200 DDR2-1150
PC2-9600 DDR2-1200
PC3-6400 DDR3-800
PC3-8500 DDR3-1066
PC3-10600 DDR3-1333
PC3-12800 DDR3-1600
PC3-14900 DDR3-1866
PC3-17000 DDR3-2133
PC3-19200 DDR3-2400
PC4-12800 DDR4-1600
PC4-14900 DDR4-1866
PC4-17000 DDR4-2133
PC4-19200 DDR4-2400
PC4-21333 DDR4-2666
PC4-23466 DDR4-2933
PC4-25600 DDR4-3200

Использование специальных программ

Если же ваши модули оперативной памяти уже установлены в компьютер, то вы можете узнать к какому типу они относятся с помощью специальных программ.

Самый простой вариант - это воспользоваться бесплатной программой CPU-Z. Для этого запустите CPU-Z на своем компьютере и перейдите на вкладку «Memory». Здесь в левом верхнем углу окна будет указан тип оперативной памяти, который используется на вашем компьютере.

Также на вкладке «Memory» можно узнать эффективную частоту, на которой работает ваша оперативная память. Для этого нужно взять значение «DRAM Frequency» и умножить его два. Например, на скриншоте внизу указана частота 665.1 МГц, умножаем ее на 2 и получаем эффективную частоту 1330,2 МГц.

Если вы хотите узнать какие конкретно модули оперативной памяти установлены на вашем компьютере, то эту информацию можно получить на вкладке «SPD».

Здесь можно узнать, сколько модулей памяти установлено, кто их производитель, на каких частотах они могут работать и многое другое.